CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊,東京電子(Tokyo Electron Ltd.,以下簡(jiǎn)稱為T(mén)EL)于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備,名為“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等離子體反應(yīng)器(Plasma Reactor)曾在業(yè)界獲得了最大交貨量,而此款“Tactras-UDEMAE”設(shè)備系統(tǒng)將等離子體反應(yīng)器的應(yīng)用范圍兼容至300mm,并將其安裝在 Tactras 平臺(tái)上。Tactras是一個(gè)高度可靠且高效的平臺(tái),已在 300 mm晶圓工藝中得到驗(yàn)證。
用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備一一Tactras-UDEMAE(圖片出自:電波新聞)
該系統(tǒng)將現(xiàn)有的200mm晶圓中積累的工藝庫(kù)(Process Library)靈活運(yùn)用于300mm晶圓工藝,還配置了可以防止晶圓斜面(Wafer Bevel)區(qū)域產(chǎn)生顆粒異物的新功能,這是制造分立功率器件(Discrete Power Device)的關(guān)鍵能力。通過(guò)有效平衡晶圓溫度、反應(yīng)器(Reactor)內(nèi)的壓力、氣體流量、RF(高頻射頻電源)等各種條件,成功在300mm晶圓上獲得了均勻蝕刻效果。
TEL執(zhí)行董事兼FS BUGM中原哲也表示:“基于車(chē)載半導(dǎo)體等通用型半導(dǎo)體的需求增加這一背景,意味著對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的需求也在增長(zhǎng),尤其是對(duì)功率器件和其他分立器件。其中,蝕刻技術(shù)在功率器件和其他分立器件的制造過(guò)程中變得比以往任何時(shí)候都重要。擁有豐富交貨實(shí)績(jī)的Tactras平臺(tái)擁有龐大的安裝基礎(chǔ),在晶圓傳輸速度和占地面積(Foot Print)方面都達(dá)到了全球最高水準(zhǔn),通過(guò)將該平臺(tái)與新開(kāi)發(fā)的用于 300 mm功率器件的等離子體反應(yīng)器(Plasma Reactor)相結(jié)合,TEL成功提供了一種技術(shù)解決方案,可顯著提高生產(chǎn)效率”。