加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論
  • 【測(cè)試案例分享】如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
    【測(cè)試案例分享】如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
    隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會(huì)發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測(cè)量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能： 自
  • 替代 LMG1210 60V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器
    替代 LMG1210 60V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器
    產(chǎn)品特性（替代LMG1210） ? 工作頻率高達(dá) 10MHz ? 20ns 典型傳播延遲 ? 5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ? 兩種輸入控制模式 ? 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入、 獨(dú)立輸入模式 ? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流 ? 內(nèi)置 5V LDO ? 欠壓保護(hù) ? 過熱保護(hù) ? 總劑量（TID）耐受： ≥100k rad(si) ? 單粒子鎖定及燒毀對(duì)線性能量傳輸（LET）的抗
  • 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
    新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGB
  • 替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高側(cè)開關(guān)芯片
    替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高側(cè)開關(guān)芯片
    PC8916是雙通道、高功率具有集成NMOS功率FET的開關(guān)，以及電荷泵。該設(shè)備集成了高級(jí)保護(hù)功能，例如負(fù)載電流限制，通過功率限制進(jìn)行過載主動(dòng)管理帶可配置閉鎖的超溫停機(jī)。
  • Allegro：集成化趨勢(shì)下Power-Thru系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
    Allegro：集成化趨勢(shì)下Power-Thru系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
    全球清潔能源市場(chǎng)要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師更高效地生產(chǎn)、儲(chǔ)存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級(jí)提供明顯的效率優(yōu)勢(shì)，但往往伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 Allegro MicroSystems（以下簡(jiǎn)稱Allegro）是全球領(lǐng)先的磁傳感器和功率IC解決方案廠商，總部位于美國新罕布什爾州的曼徹斯特。Allegro MicroSystems全球