替代 LMG1210 60V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動器

1. 產(chǎn)品特性（替代LMG1210）

? 工作頻率高達(dá) 10MHz

? 20ns 典型傳播延遲

? 5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配

? 兩種輸入控制模式

? 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入、 獨(dú)立輸入模式

? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流

? 內(nèi)置 5V LDO

? 欠壓保護(hù)

? 過熱保護(hù)

? 總劑量（TID）耐受： ≥100k rad(si)

? 單粒子鎖定及燒毀對線性能量傳輸（LET）的抗干擾度： ≥75MeV*cm2/mg

2. 功能描述
3. 

PC1210是一款60V半橋GaN驅(qū)動器，專為高頻率、高效率的應(yīng)用而開發(fā)， 具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、極短的傳播延遲以及5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。芯片內(nèi)置LDO，提供與電源電壓無關(guān)的5V柵極驅(qū)動器電壓。

PC1210具有兩種輸入控制模式：獨(dú)立輸入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中，每個輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在PWM 模式下，兩個補(bǔ)償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，每個沿的死區(qū)時間可在10~100ns之間調(diào)節(jié)

3. 產(chǎn)品應(yīng)用

? 同步降壓型轉(zhuǎn)換器

? 半橋、全橋、正激、推挽轉(zhuǎn)換器

4. 裸芯片/封裝簡介

? 本產(chǎn)品為裸芯片，尺寸為2050μm×2050μm（含劃片槽尺寸）