Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級(jí)封裝器件，支持多功率等級(jí)，為客戶創(chuàng)造競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

Weltrend新參考設(shè)計(jì)表明，擁有成本優(yōu)勢(shì)的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來(lái)規(guī)模經(jīng)濟(jì)以及無(wú)與倫比的氮化鎵穩(wěn)健性

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)電路采用兩家公司合作開發(fā)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）SuperGaN?電源控制芯片WT7162RHUG24A，在準(zhǔn)諧振反激式（QRF）拓?fù)渲锌蓪?shí)現(xiàn)92.2%的效率。

該參考設(shè)計(jì)是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓?fù)銾SB-C PD適配器控制板。在今年早些時(shí)候，偉詮電子發(fā)布了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板采用同一個(gè)SuperGaN SiP，與競(jìng)爭(zhēng)方案相比，客戶能夠以更優(yōu)的成本實(shí)現(xiàn)100瓦產(chǎn)品設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)規(guī)模效益。這也表明，65瓦功率級(jí)SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級(jí)設(shè)計(jì)的性能和散熱要求。

Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展及市場(chǎng)營(yíng)銷高級(jí)副總裁 Philip Zuk 表示：“基于氮化鎵的集成電路可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，這個(gè)想法很棒，但必須“做到集成”，必須是封裝內(nèi)置有必需的控制器的單一集成器件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優(yōu)勢(shì)所在。我們推出的系統(tǒng)級(jí)封裝是簡(jiǎn)單的常閉型解決方案，無(wú)需保護(hù)電路、驅(qū)動(dòng)器或外部控制器。除此之外，同一顆SiP還適用于65瓦和100瓦的電源適配器。具備了這些亮點(diǎn)的產(chǎn)品和方案，才真正展示出氮化鎵所固有的全面的性能優(yōu)勢(shì)和穩(wěn)健特性。目前，只有Transphorm的SuperGaN平臺(tái)能夠?qū)崿F(xiàn)?！?/p>

偉詮電子市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Wayne Lo指出：“偉詮電子在AC-DC電源市場(chǎng)的市占率正不斷增長(zhǎng)，確保為市場(chǎng)提供最好、最實(shí)用的解決方案，對(duì)我們來(lái)說(shuō)最為重要。目前，利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優(yōu)勢(shì)，電源適配器市場(chǎng)在不斷創(chuàng)新迭代，偉詮電子要做的就是確?？蛻裟軌蚴芤嬗诘壍倪@些優(yōu)勢(shì)——不僅在技術(shù)上受益，而且能獲得更好、更全面的投資回報(bào)（ROI）。一顆SiP，既滿足適配器物理設(shè)計(jì)要求，同時(shí)又適用于整個(gè)適配器系列的不同型號(hào)，這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。這款新發(fā)布的100瓦參考設(shè)計(jì)方案，有力地證明了我們的技術(shù)在低價(jià)位市場(chǎng)同樣具有競(jìng)爭(zhēng)力，而這只是起步，未來(lái)可期?！?/p>

100瓦適配器參考設(shè)計(jì)規(guī)格

偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗(yàn)證板按照USB PD 3.0 + PPS 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，用于更快地開發(fā)為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設(shè)備充電的各種扁平高性能電源適配器。主要技術(shù)規(guī)格如下：

SuperGaN SiP：結(jié)構(gòu)緊湊、成本效益高、加速產(chǎn)品開發(fā)

WT7162RHUG24A是一款真正的集成電路，專為應(yīng)用于45至100瓦USB-C PD電源適配器而設(shè)計(jì)。該器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08準(zhǔn)諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫歐姆、650 V SuperGaN? FET。該SiP IC是24引腳8x8 QFN封裝的表面貼裝器件，可實(shí)現(xiàn)92.2%的峰值效率。主要優(yōu)勢(shì)包括更高的功率密度和更好的散熱性能，因此，具有更長(zhǎng)期的可靠性，且降低BOM物料成本。