2項(xiàng)SiC新技術(shù)：8吋襯底、CMP效率提升500%

近日，國(guó)內(nèi)2家企業(yè)/團(tuán)隊(duì)宣布取得SiC新突破，涉及8吋復(fù)合襯底、無(wú)損拋光裝備等。

青禾晶圓：突破8吋SiC襯底制備

前天，世紀(jì)金芯宣布成功制備了8吋SiC單晶（.點(diǎn)這里.）；4月11日，青禾晶圓也在官微宣布，他們突破了8英寸SiC鍵合襯底制備。

據(jù)介紹，青禾晶圓通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得了重要進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

公開資料顯示，青禾晶元成立于2020年7月，致力于使用先進(jìn)異質(zhì)集成技術(shù)來(lái)提高碳化硅良率、降低成本。

據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道，2022年6月，青禾晶元擬投資9.9億元在天津高新區(qū)建設(shè)國(guó)內(nèi)首條復(fù)合SiC襯底生產(chǎn)線；同年12月，青禾晶元的復(fù)合SiC襯底產(chǎn)線首臺(tái)設(shè)備搬入啟動(dòng)儀式在渤龍湖科技園舉行。據(jù)36氪稱，該公司新型鍵合集成襯底量產(chǎn)示范線于2023年5月19日正式通線，規(guī)劃產(chǎn)能3萬(wàn)片/年，滿產(chǎn)后預(yù)計(jì)單條產(chǎn)線營(yíng)收過(guò)億元。

截至目前，青禾晶元已經(jīng)完成晶圓鍵合設(shè)備、Chiplet設(shè)備及功率模塊鍵合設(shè)備等多款設(shè)備的開發(fā)及量產(chǎn)；SiC、POI等鍵合集成襯底材料規(guī)?；慨a(chǎn)。

蘇州大學(xué)：推出電場(chǎng)+化學(xué)機(jī)械拋光裝備

4月10日，據(jù)騰訊網(wǎng)消息，近期，蘇州大學(xué)一支超精密拋光團(tuán)隊(duì)將電場(chǎng)引入傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，研發(fā)出國(guó)內(nèi)外首臺(tái)電化學(xué)機(jī)械拋光（ECMP）裝備，并已于2023年完成了第三代產(chǎn)品。

松山湖材料實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)報(bào)告顯示，該設(shè)備可幫助SiC、GaN實(shí)現(xiàn)高效、無(wú)損拋光，具有很高的應(yīng)用價(jià)值。

據(jù)介紹，通過(guò)對(duì)第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行加工實(shí)驗(yàn)，半導(dǎo)體材料的表面粗糙度可降至0.22nm以下，達(dá)到納米級(jí)加工的標(biāo)準(zhǔn)，拋光加工的效率可以提升到現(xiàn)有CMP技術(shù)的5倍，提升芯片企業(yè)的生產(chǎn)效益130%—160%。同時(shí)，該工藝可有效提升32%的磨料利用率，顯著降低拋光液成本70%以上（約4.6萬(wàn)/噸）。

研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人彭洋表示，“超精密拋光是半導(dǎo)體芯片制造中最為關(guān)鍵的制程之一，直接決定了芯片表面質(zhì)量。在研究初期，我們實(shí)地走訪了國(guó)內(nèi)眾多的芯片制造廠商，了解到傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)存在拋光效率低、拋光液消耗成本高昂的問(wèn)題。我們團(tuán)隊(duì)將現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)和電場(chǎng)進(jìn)行良好復(fù)合，成功實(shí)現(xiàn)了第三代難加工半導(dǎo)體的無(wú)損超精密拋光?！?/p>

注：本文來(lái)源地方政府及企業(yè)官網(wǎng)，僅供信息參考，不代表“行家說(shuō)三代半”觀點(diǎn)。