8月7日消息,近日日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)(OIST)的Tsumoru Shintake教授帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)提出了一項(xiàng)全新、大幅簡化的面向極紫外(EUV)光刻機(jī)的雙反射鏡系統(tǒng)。相比傳統(tǒng)的至少需要六面反射鏡的配置,新的光學(xué)投影系統(tǒng)僅使用了兩面反射鏡,在確保系統(tǒng)維持較高的光學(xué)性能的同時(shí),能讓EUV光線以超過初始值10%的功率到達(dá)晶圓,相比傳統(tǒng)系統(tǒng)中僅1%的功率來說,提了高到了原來的10倍,可說是一大突破。
換句話來說,全新的光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)原有的系統(tǒng)來說,功耗可以降低到原來1/10!而對(duì)于EUV光刻機(jī)來說,隨著對(duì)于光源系統(tǒng)功率要求的大幅降低,將使得其整套光源系統(tǒng)的體積和成本也將大大的降低,反射鏡數(shù)量的減少也將帶來成本降低,同時(shí)光刻機(jī)能耗的降低也將使得其運(yùn)行的電耗成本極大的降低,并顯著提設(shè)備的可靠性和使用壽命。
ASML EUV光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)解析
目前ASML是全球唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商,其先進(jìn)的EUV光刻機(jī)擁有超過10萬個(gè)零件,涉及到上游5000多家供應(yīng)商。這些零部件極為復(fù)雜,對(duì)誤差和穩(wěn)定性的要求極高,并且這些零件幾乎都是定制的,90%零件都采用的是世界上最先進(jìn)技術(shù),85%的零部件是和供應(yīng)鏈共同研發(fā),甚至一些接口都要工程師用高精度機(jī)械進(jìn)行打磨,尺寸調(diào)整次數(shù)更可能高達(dá)百萬次以上。這也使得一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)高達(dá)1.5億美元左右。
從EUV光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)來看,其內(nèi)部主要由“照明光學(xué)模組”(Illuminator)、“投影光學(xué)模組”(Projection optics)、“光罩傳輸模組”(Reticle Handler)、“光罩平臺(tái)模組”(Reticle Stage)、“晶圓傳送模組”(Wafer Handler)、“晶圓平臺(tái)模組”(Wafer Stage)及“光源模組”(Soure)這七大模組組成。
其中,“照明光學(xué)模組”是EUV最核心的作業(yè)模組。這里EUV光線由“光源模組”(Source)生成后,導(dǎo)入“照明光學(xué)模組”。過程還必須進(jìn)行檢測與控制光的能量、均勻度及形狀。之后再將EUV光線通過“投影光學(xué)模組”傳輸穿過光罩(掩膜版),再由聚光鏡(Project Lens)將影像聚焦成像在晶圓表面的光阻層。
EUV的光源分為兩個(gè)部分:第一個(gè)部分就是通快集團(tuán)供應(yīng)的30KW二氧化碳激光器,也稱之為“drive laser”,其主要作用就是提供10600nm波長的高功率激光,用來照射錫(Sn)金屬液滴,以產(chǎn)生13.5nm波長的EUV光線。
根據(jù)官網(wǎng)資料顯示,通快集團(tuán)向ASML供應(yīng)的二氧化碳激光器擁有457,329個(gè)部件,系統(tǒng)內(nèi)的線纜長度高達(dá)7,322米,重量更是達(dá)到了17,090千克。
第二部分則是Cymer的工作,其主要承擔(dān)提供并控制錫金屬液滴以每秒50000滴的速度從噴嘴內(nèi)噴出,并利用通快集團(tuán)的30KW二氧化碳激光器對(duì)每滴錫金屬液滴每秒進(jìn)行兩次轟擊(即每秒需要10萬個(gè)激光脈沖),從而產(chǎn)生穩(wěn)定的13.5nm波長的EUV,然后對(duì)光線進(jìn)行收集,并通過反射鏡修正光的前進(jìn)方向。
ASML與德國光學(xué)公司蔡司(Zeiss)合作,由該蔡司來生產(chǎn)反射鏡,以使得EUV光線經(jīng)過多次反射后能夠精準(zhǔn)的投射到晶圓上。
由于EUV光線波長非常短,所以它們會(huì)很容易被空氣吸收,所以整個(gè)EUV光源的工作環(huán)境需要被抽成真空。同時(shí),EUV光線也無法被玻璃透鏡折射,必須以硅與鉬制成的特殊鍍膜反射鏡,來修正光的前進(jìn)方向,而且每一次反射可能將會(huì)損失約30%能量,而EUV光學(xué)照明系統(tǒng)當(dāng)中有6組反射鏡,導(dǎo)致最終到達(dá)晶圓的EUV光子理論上只有原來的約1%左右。
據(jù)芯智訊向ASML內(nèi)部人士了解到,目前ASML EUV光刻機(jī)的EUV光源功率已經(jīng)提高到了500W(主要依賴于光源優(yōu)化,drive laser依然是30kW),也就是說其最終作用到晶圓的功率僅為5W,這相比多年前的250W光源功率所帶來的最終工作功率提升了一倍,這也提升了其EUV光刻機(jī)的每小時(shí)處理晶圓數(shù)量的能力。
全新EUV雙反射鏡系統(tǒng)解決方案
日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)的Tsumoru Shintake教授在論文中也指出,在傳統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)中,如照相機(jī)、望遠(yuǎn)鏡和傳統(tǒng)的紫外光刻技術(shù),孔徑和透鏡等光學(xué)元件軸對(duì)稱(對(duì)稱于中心軸)排列在一條直線上。這種配置確保了最高的光學(xué)性能,具有最小的光學(xué)像差,從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖像。然而,這不適用于 EUV光線,因?yàn)樗鼈兊牟ㄩL極短,會(huì)被大多數(shù)材料吸收,這意味著它們不能穿過透明鏡片。出于這個(gè)原因,EUV 光使用新月形鏡子進(jìn)行定向,這些鏡子以鋸齒形圖案在開放空間中沿光路反射光線(見下圖)。然而,由于這種方法會(huì)導(dǎo)致光線偏離中心軸,因此它犧牲了重要的光學(xué)特性并降低了系統(tǒng)的整體性能。
而Tsumoru Shintake教授提出的面向EUV光學(xué)系統(tǒng)的雙反射鏡解決方案,相比原本的六個(gè)反射鏡的方案,能讓光源效率提升到原來(標(biāo)準(zhǔn)值為1%)的10倍,即EUV光線能夠以超過初始值10%的功率到達(dá)晶圓。如果維持原有的作用到晶圓的EUV光線功率不變,那么采用新方案后,EUV光源的初始功率則可以降低到原來的1/10,這也將使得整個(gè)EUV光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)更簡化、更高效、可靠性更高、更低成本。
Tsumoru Shintake教授在論文摘要中介紹稱,如果以每小時(shí) 100 片晶圓的處理速度計(jì)算,如果采用全新的雙反射鏡系統(tǒng),將可使得所需的 EUV 光源功率降低至 20 瓦。全新設(shè)計(jì)的投影物鏡可實(shí)現(xiàn) 0.2 NA(20 毫米領(lǐng)域)和 0.3 NA(10 毫米領(lǐng)域),可組裝成類似于 DUV 投影物鏡系統(tǒng)的圓柱型裝置,具有出色的機(jī)械穩(wěn)定性,且更易于組裝/維護(hù)。EUV通過位于衍射錐兩側(cè)的兩個(gè)窄圓柱形反射鏡引入掩膜版前方,提供平均法向照明,減少光刻掩膜三維效應(yīng)。簡化的照明系統(tǒng)提供對(duì)稱的四極離軸照明,繞過了中心遮蔽,提高了空間分辨率,還實(shí)現(xiàn)了柯勒照明。理論分辨率極限為 24nm(20mm視場),圖像縮小系數(shù) ×5,物像距離 (OID) 2000 毫米。使用曲面掩模后,物像距離高度可降低到(OID)1500mm,分辨率為 16nm(10mm視場)。它將適用于移動(dòng)終端應(yīng)用的小尺寸芯片生產(chǎn)以及最新的chiplet芯片技術(shù)。
這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)具有顯著更好的穩(wěn)定性和可維護(hù)性,因?yàn)樗喕嗽O(shè)計(jì),只有兩個(gè)鏡子,只需要20W的光源,從而將系統(tǒng)的總功耗降低到100kW以下,與通常需要1MW(=1,000kW,經(jīng)芯智訊與ASML內(nèi)部人士確認(rèn),現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)系統(tǒng)沒有這么高的功耗)以上的傳統(tǒng)技術(shù)相比,功耗降低了90%。并且新系統(tǒng)保留了非常高的對(duì)比度,同時(shí)還減少了掩模3D效應(yīng),實(shí)現(xiàn)了將邏輯圖案從光掩模準(zhǔn)確轉(zhuǎn)移到硅晶圓所需的納米精度。
EUV光刻技術(shù)的核心是將光掩模圖像轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的投影儀,它僅由兩個(gè)反射鏡組成,就像天文望遠(yuǎn)鏡一樣?!翱紤]到傳統(tǒng)EUV光刻至少需要六個(gè)反射鏡,我們的雙反射鏡配置非常簡單。這是通過仔細(xì)重新思考光學(xué)像差校正理論而實(shí)現(xiàn)的。這是經(jīng)典物理學(xué)在量子物理學(xué)之前的勝利?!盨hintake教授解釋說:“該性能已使用光學(xué)模擬軟件(OpTaliX)進(jìn)行了驗(yàn)證,并保證足以用于生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體。”
不過,新的雙反射鏡光學(xué)系統(tǒng)的挑戰(zhàn)在于,防止光學(xué)像位差,并確保高效率的光傳輸。對(duì)此,需將這些鏡子對(duì)齊成一條直線,確保系統(tǒng)維持較高的光學(xué)性能,不會(huì)出現(xiàn)與EUV光線相關(guān)的扭曲現(xiàn)象。為了解決這些問題,Tsumoru Shintake教授通過將兩個(gè)軸對(duì)稱鏡與一條直線上的微小中心孔對(duì)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)了其卓越的光學(xué)性能。
為了避開中心遮擋并提高空間分辨率,EUV 光通過位于衍射光錐兩側(cè)的兩個(gè)窄圓柱形反射鏡引入掩膜前方。這提供了均勻化照明光場,減少了掩膜三維效應(yīng)。簡化的照明系統(tǒng)提供了對(duì)稱的四極離軸照明,繞過了中心遮擋,提高了空間分辨率,還實(shí)現(xiàn)了柯勒照明。為避免圓柱鏡的阻擋衍射,Tsumoru Shintake教授引入了通過設(shè)計(jì)一種新的照明光學(xué)方法解決了這個(gè)問題,該方法被稱為“雙線場”。該方法在不干擾光路的情況下,用EUV光從正面照射平面鏡面的光罩。
Tsumoru Shintake教授解釋說:“如果你拿著兩個(gè)手電筒,每只手拿著一個(gè)手電筒,并將它們以相同的角度對(duì)準(zhǔn)你面前的鏡子,那么一個(gè)手電筒的光線總是會(huì)照射到對(duì)面的手電筒上,這在光刻中是不可接受的。但是,如果你在不改變手電筒的角度的情況下向外移動(dòng)手,直到中間從兩側(cè)完全照亮,光線就可以被反射而不會(huì)與對(duì)面手電筒的光線碰撞。由于兩個(gè)光源對(duì)稱放置并以相同角度照亮光罩,因此平均而言,光罩是從正面照亮的。這也最大限度地減少了掩膜三維效應(yīng)。這就像哥倫布的蛋,”“因?yàn)檎б豢此坪醪豢赡埽坏┙鉀Q了,它就變得非常簡單。”
據(jù)介紹,目前日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)已經(jīng)就該技術(shù)提交了專利申請(qǐng),并有望通過示范實(shí)驗(yàn)投入實(shí)際應(yīng)用?!叭駿UV光刻市場預(yù)計(jì)將從2024年的89億美元增長到2030年的174億美元,年均增長率約為12%。這項(xiàng)專利有可能產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。”Tsumoru Shintake教授總結(jié)道。
日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)執(zhí)行副總裁兼 OIST 創(chuàng)新負(fù)責(zé)人 Gil Granot-Mayer 表示:“OIST 致力于創(chuàng)造能夠影響人類的尖端科學(xué)。這項(xiàng)創(chuàng)新體現(xiàn)了OIST的精神,即探索不可能的事情并提供原創(chuàng)的解決方案。盡管我們在開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)方面還有很長的路要走,但我們致力于這樣做。我們希望這項(xiàng)來自沖繩的技術(shù)將對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生變革性影響,并幫助解決能源消耗和脫碳等全球問題。
小結(jié):
如果Tsumoru Shintake教授的面向EUV光刻的雙反射鏡系統(tǒng)解決方案能夠商用,將有望幫助現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)的EUV光源系統(tǒng)的功率降低90%。比如現(xiàn)在ASML EUV光刻機(jī)的EUV光源功率為500W,那么采用新的接近方案后,只需要50W的EUV光源即可達(dá)到現(xiàn)有的作用于晶圓的EUV光線的功率要求。這也意味著為了產(chǎn)生足夠高功率EUV光源的“drive laser”也就無需功率高達(dá)30KW二氧化碳激光器,這將極大的降低光源系統(tǒng)的功耗,同樣配套的散熱、冷卻水需求也將會(huì)大幅降低。
而且,該解決方案還能夠使得目前EUV光刻機(jī)的“照明光學(xué)模組”和“投影光學(xué)模組”更為簡化,不僅所需的零部件數(shù)量更少(反射鏡減少、二氧化碳激光器要求降低、配套散熱系統(tǒng)要求降低),體積和重量也將會(huì)更小。比如前面提到的,通快集團(tuán)向ASML EUV光刻機(jī)供應(yīng)的30KW二氧化碳激光器,光零部件就有457,329個(gè),重量更是達(dá)到了17,090千克,如果采用功率更低的二氧化碳激光器,無疑將會(huì)大幅降低零部件的數(shù)量、體積與重量。
總結(jié)來看,新的解決方案如果能夠商用,不僅可以大幅降低EUV光刻機(jī)的功耗和綜合成本,同時(shí)隨著整個(gè)系統(tǒng)的復(fù)雜度的降低,穩(wěn)定性將得到提升,制造難度和制造流程也都有望縮短。零部件減少和光源系統(tǒng)的簡化也將使得整體的體積和重量大幅減少,這也將使得EUV光刻機(jī)的發(fā)貨、運(yùn)輸及安裝更為簡便。
當(dāng)然,目前Tsumoru Shintake教授提出的這項(xiàng)技術(shù)方案還是處于理論研究階段,不過其確實(shí)有計(jì)劃通過示范實(shí)驗(yàn)投入實(shí)際應(yīng)用,但最終能否成功商用依然是未知之?dāng)?shù)。
編輯:芯智訊-浪客劍
論文地址:https://arxiv.org/pdf/2405.11717