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前言：
這是一個(gè)神奇的網(wǎng)站，它收錄了來(lái)自 8000 多家半導(dǎo)體廠商的 8000w+元器件數(shù)據(jù)手冊(cè)并仍在實(shí)時(shí)更新，用戶可按封裝、應(yīng)用領(lǐng)域、相關(guān)參數(shù)等檢索關(guān)鍵詞進(jìn)行精確查詢。可謂是學(xué)生、工程師必不可少的工具類網(wǎng)站。每十個(gè)工程師就會(huì)有七個(gè)會(huì)用到它，每天 W 級(jí)用戶在享受高效數(shù)據(jù)手冊(cè)查詢的同時(shí)，也在享受它提供的實(shí)時(shí)授權(quán)分銷商的最新價(jià)格和庫(kù)存信息。
這個(gè)神奇的網(wǎng)站就是集成電路查詢網(wǎng)(www.datasheet5.com)。
下面我們就根據(jù)該網(wǎng)站提供的搜索大數(shù)據(jù)，將關(guān)注度最高的 Top20 二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管匯總了出來(lái)。
二極管又稱晶體二極管，具有一個(gè) PN 節(jié)，有兩個(gè)管腳，一個(gè)正極、一個(gè)負(fù)極，最大的特性是單向?qū)щ娦?，即電荷只能由正極流向負(fù)極。主要起整流、續(xù)流、保護(hù)、隔離等作用，于是龐大的二極管家族有整流二極管、穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管、整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、肖特基二極管等不同分支。
三級(jí)管具有兩個(gè) PN 結(jié)，排列方式有 PNP 和 NPN 兩種，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，用來(lái)把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)。一共有三個(gè)引腳，分別是基極（B）、發(fā)射極（E）、集電極（C）。主要起放大、振蕩、開(kāi)關(guān)等作用。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管 JFET 和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管 IGFET 之分。1960 年 Dawan Kahng 發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了 JFET。而目前大家聽(tīng)的最多的 MOSFET 其實(shí)就是 IGFET。
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熱搜排行榜 Top 20
二極管
1N4007
1N4007 是一種常用的整流二極管，常用于橋式整流電路。較強(qiáng)的正向浪涌承受能力 30A，最大正向平均整流電流 1.0A，極限參數(shù)為 VRM≥50V，最高反向耐壓 1000V，最大反向漏電流 5uA，正向壓降 1.0V，最大反向峰值電流 30uA。
典型熱阻 65℃/W，典型結(jié)電容 15pF，工作溫度為－50℃～+150℃。
1N5819
1N5819 為肖特基二極管。反向擊穿電壓可達(dá) 40V，峰值電流 25A，正向壓降 0.2V，工作溫度范圍是 -65 度到 125 度。過(guò)壓保護(hù)低功率損耗，高效高電流能力，因?yàn)樵诘碗妷旱驼驂航蹈呃擞磕芰Γ?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1472277.html">高頻逆變器，免費(fèi)過(guò)網(wǎng)，并極性保護(hù)應(yīng)用高溫焊接保證。
BAV99
BAV99 是具有串聯(lián)對(duì)二極管配置的 350 mW 高速開(kāi)關(guān)二極管陣列。由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時(shí)間比一般二極管短。這些功能使 BAV99 適用于需要一些額外功率能力的面積受限應(yīng)用。主要應(yīng)用于電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動(dòng)控制電路。
SS14
SS14 為肖特基二極管，導(dǎo)通電流 1A ,反向耐壓 40V。適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如 X 波段、C 波段、S 波段和 Ku 波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在電源防止反接的用途中也經(jīng)常出現(xiàn)他的身影。
SS34
SS34 為肖特基二極管，常用在小電流的（模型）電調(diào)上用，用于電路瞬間整流。肖特基二極管（又譯蕭特基二極管）是一種導(dǎo)通電壓降較低、允許高速切換的二極管，是利用肖特基勢(shì)壘特性而產(chǎn)生的電子元件。肖特基二極管最大的缺點(diǎn)是其反向偏置較低及反向漏電流偏大。
MB6S
MB6S 為用于 AC/DC 電橋全波整流的二極管，用于電源，照明鎮(zhèn)流器，電池充電器，家用電器，辦公設(shè)備和電信應(yīng)用。MB6S 具有玻璃鈍化、表面貼裝、鉛錫鍍銅、任何安裝位置、420V RMS 反向電壓、-55 至 150°C 工作溫度范圍等特點(diǎn)。MB 系列橋式整流器屬于 0.5A 整流器系列，可以小巧的體積實(shí)現(xiàn)巨大的浪涌電流吸收能力。
1N5822
1N5822 是典型的肖特基二極管，具有正向?qū)妷旱停?.52V），反向擊穿電壓高（40V)，反向擊穿電流大（3A），多用于限流及保護(hù)電路。
LL4148
LL4148 是一款釋放小信號(hào)的二極管。它的反向漏電流比較小，開(kāi)關(guān)速度快，并且可靠性和穩(wěn)定性都非常的高。
P6SMB18A
P6SMB18A 是一種 TCS 二極管，TVS 或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新產(chǎn)品，其電路符號(hào)和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無(wú)異,當(dāng) TVS 管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度使其阻抗驟然降低，同時(shí)吸收一個(gè)大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。 TVS 的反應(yīng)速度比 RC 回路快 10E-12s,可不用考慮 TVS 的擊穿電壓 VBR,反向臨界電壓 VWM,最大峰值脈沖電流 IPP 和最大箝位電壓 VC 及峰值脈沖功率 PP。
三極管
S8050?
S8050 是非常常見(jiàn)的 NPN 型晶體三極管，在各種放大電路中經(jīng)常看到它，應(yīng)用范圍很廣，主要用于高頻放大。也可用作開(kāi)關(guān)電路。最大集電極電流為 0.5A，直流電增益 10 ~60db，功耗為 625 mW，最大集電極 - 發(fā)射極電壓（VCEO）25V，特征頻率 150 MHz。
2N3904
2N3904 為 NPN 型晶體管，在小信號(hào)放大電路中經(jīng)常見(jiàn)到。集電極電流最大為 200mA，集電極發(fā)射極擊穿電壓最大為 40V，最大功率 800mW，最大應(yīng)用頻率 100MHz。
S9013
S9013 為 NPN 型小功率三極管。主要用作音頻放大和收音機(jī) 1W 推挽輸出以及開(kāi)關(guān)等 。S9012、S9014、S9015、S9018 為同系列的晶體小功率三極管。
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SS8050
SS8050 為 NPN 型晶體三極管，在各種放大電路中經(jīng)?？吹剿?，應(yīng)用范圍很廣，主要用于高頻放大，也可用作開(kāi)關(guān)電路。在共集電路中輸入和輸出信號(hào)反向，因此利用該三極管可以實(shí)現(xiàn)弱電壓控制強(qiáng)電壓，在對(duì)成本敏感的領(lǐng)域里，不少工程師直接利用三極管搭建 TTL 與 RS232 轉(zhuǎn)換電路，替代 MAX232 的功能，節(jié)約成本。最大集電極電流 0.5 A，功耗 625 mW，特征頻率為 150 MHz。
對(duì)于易于混淆的 S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050，8050 為 NPN 型三極管、8550 為 PNP 型三極管。SS8050 與 S8050 相比，SS8050 的電流能力要大一些。
場(chǎng)效應(yīng)管
74HC595
74HC595 是硅結(jié)構(gòu)的 CMOS 器件，兼容低電壓 TTL 電路，具有速度快、功耗小、操作簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。595 具有 8 位移位寄存器和一個(gè)存儲(chǔ)器，三態(tài)輸出功能。8 位串行 / 串行或并行輸出移位寄存器，在電子顯示屏制作中有廣泛的應(yīng)用。三態(tài)分別為高阻、關(guān)、斷狀態(tài)。
2N7002
2N7002 為 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極電流 Id 最大值為 280mA，電壓,Vds 最大為 60V。
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IR2113
IR2113 由低端功率晶體管驅(qū)動(dòng)級(jí)、高端功率晶體管驅(qū)動(dòng)級(jí)、電平轉(zhuǎn)換器、輸入邏輯電路組成。它把驅(qū)動(dòng)一高壓側(cè)和一低壓側(cè) MOSFET 或 IGBT 所需要的絕大部分功能集成在芯片內(nèi)。 可以根據(jù)自舉原理工作或加一浮動(dòng)電源，外圍電路簡(jiǎn)單。
2SK1336
2SK1336N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管，為高速電源開(kāi)關(guān)管，具有低導(dǎo)通電阻，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)及 DC-DC 控制。
IRC540
IRC540 為 N 溝道 MOSFET，導(dǎo)通電流為 28A ，Vdss 為 100V ，導(dǎo)通電阻為 0.077Ω，具有快速開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。
AO3400
AO3400 為 N 溝道增強(qiáng)型的 MOSFET，主要用于高密度電池設(shè)計(jì)，適用于超低導(dǎo)通電阻。
IRF3710
IRF3710 為 N 型場(chǎng)效應(yīng)管。IRF3710 的 HEXFET 功率場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF3710 這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱的 HEXFET 設(shè)計(jì)，使得 IRF3710 成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。漏極電流 Id 最大值為 59A，電壓 Vds 最大為 100V。
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