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據(jù)報道，權(quán)威消息人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在 2021-2025 年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
這個消息剛一出來，最不淡定的當(dāng)屬美國。昨天美股三大指數(shù)集體出現(xiàn)了暴跌，納斯達(dá)克指數(shù)下跌 5%左右，標(biāo)普 500 指數(shù)下跌 3.5%，美國費城半導(dǎo)體指數(shù)下跌 5.7%，相關(guān)成分股市值縮水約 1000 億美元，是 6 月中旬以來最慘的一天。其中芯片股更是全線潰敗，英偉達(dá)股價下跌 9.3%、為 3 月 16 日以來最高。博通下跌 6.1%，高通下跌 5.5%，英特爾下跌 3.6%。外媒認(rèn)為主要的原因就和中國即將實施的半導(dǎo)體新政有關(guān)。
由于傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程工藝已近物理極限，技術(shù)研發(fā)費用劇增，制造節(jié)點的更新難度越來越大，“摩爾定律”演進(jìn)開始放緩，半導(dǎo)體業(yè)界紛紛在新型材料和器件上尋求突破。相比第一代和第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅（ZnSe）等寬帶半導(dǎo)體原料為主；具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。以第三代半導(dǎo)體為基礎(chǔ)制備的電子器件，是支撐新基建中 5G 基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通四大領(lǐng)域的關(guān)鍵核心。
由于第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)成為各國發(fā)展的重點，國內(nèi)外廠商也在不斷的上演合縱連橫，早早布局。比如意法半導(dǎo)體并購了 Norstel AB 以及法國 Exagan、并且與臺積電聯(lián)手，此外英飛凌也收購了 Siltectra ，以及日商 ROHM 收購 SiCrystal 等都顯示出各家對布局未來的決心。
而在國內(nèi)方面，第三代半導(dǎo)體材料的布局也在緊鑼密鼓的開展，比如在 7 月份，碳化硅晶片供應(yīng)商天科合達(dá)的科創(chuàng)板申請已獲受理，總投資 160 億元的長沙三安第三代半導(dǎo)體項目破土動工；8 月份，碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體模塊及應(yīng)用解決方案提供商忱芯科技(UniSiC)宣布完成數(shù)千萬元人民幣天使輪融資；此外，露笑科技投資 100 億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園；三安光電打算成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額 160 億元。
整個上半年已經(jīng)有 8 家半導(dǎo)體企業(yè)共計預(yù)投資大約 430 多億，可以看出第三代半導(dǎo)體項目在國內(nèi)已處于井噴。
