HFSS 應(yīng)用案例:射頻衰減器仿真與優(yōu)化
01、摘要
射頻衰減器是一種提供衰減的電子元器件, 廣泛地應(yīng)用于電子設(shè)備中,它的主要用途是:
調(diào)整電路中信號的大?。?/p>
在比較法測量電路中,可用來直讀被測網(wǎng)絡(luò)的衰減值;
此次仿真的目的,是通過仿真提供該衰減器在最大衰減和最小衰減 2 種配置下的插入損耗和回波損耗數(shù)據(jù),并同時提供對衰減器附近走線進(jìn)行調(diào)整優(yōu)化之后的仿真結(jié)果。
02、HFSS 仿真思路與流程 01 仿真思路
通過 IC DATASHEET 上獲得衰減器內(nèi) IC 本身在最大衰減和最小衰減狀態(tài)下的插入損耗和回波損耗,提供該衰減器在最大衰減和最小衰減 2 種配置下的插入損耗和回波損耗數(shù)據(jù),并同時提供對衰減器附近走線進(jìn)行調(diào)整優(yōu)化之后的仿真結(jié)果。此方法使用 HFSS 2020R2 版本,并配合 Circuit 求解器進(jìn)行場路協(xié)同仿真。
02、仿真流程
2.2.1?? 仿真數(shù)據(jù)準(zhǔn)備
仿真數(shù)據(jù)準(zhǔn)備主要是獲得射頻衰減 IC 本身在最大衰減和最小衰減狀態(tài)下的插入損耗和回波損耗,該數(shù)據(jù)可以從 IC DATASHEET 上查詢到,然后通過 Excel 將該 DATASHEET 上的數(shù)據(jù)制作成可以被仿真軟件使用的 S 參數(shù)文件,制作完成的 S 參數(shù)如圖 1 和圖 2 所示:
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圖 1 最大衰減模式下 IC 的 S 參數(shù)
圖 2 最小衰減模式下 IC 的 S 參數(shù)
2.2.2?? CAD 模型導(dǎo)入
將客戶提供的衰減器的 CAD 模型導(dǎo)入到 HFSS,并經(jīng)過必要的幾何修復(fù)和調(diào)整,并設(shè)定相應(yīng)的材料屬性,得到如圖 3 所示的 HFSS 仿真模型
圖 3 衰減器 CAD 模型
2.2.3?? 仿真端口設(shè)置
在 CAD 模型的同軸輸入端和 IC 的焊盤端分別設(shè)定 Port, 并設(shè)定仿真頻率為 7GHz 到 50GHz,得到如圖 4 所示的衰減器 LAYOUT 的 S 參數(shù) .
圖 4 衰減器 LAYOUT 通道的 S 參數(shù)
將圖 4 的 S 參數(shù)與 IC 本身的 S 參數(shù)在 Circuit 中進(jìn)行組合(圖 5),形成最終完整的通道并進(jìn)行 Linear Network Analysis,得到衰減器的完整 S 參數(shù)特性,分別如圖 6 和圖 7 所示
圖 5 在 Circuit 中組件完整衰減器通道
圖 6 衰減器完整通道的 S 參數(shù)(最大衰減配置)
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圖 7 衰減器完整通道的 S 參數(shù)(最小衰減配置)
2.2.4?? 仿真結(jié)果分析及優(yōu)化
從圖 6 和圖 7 的結(jié)果來看,組裝完成后的全通道 S 參數(shù)與 IC 本身的 S 參數(shù)相比,在 39GHz 和 49GHz 這 2 個頻點附近性能惡化較多。所以對 LAYOUT 本身和盒子結(jié)構(gòu)做適當(dāng)改進(jìn),下面是選擇的 2 條改進(jìn)手段:
l? 增加若干地過孔(圖 8)
l? 改變 IC 上方空腔形狀(圖 9),
圖 8 增加的地過孔
圖 9 改變 IC 上方腔體形狀
03、仿真結(jié)果與效果分析
經(jīng)過上述步驟優(yōu)化之后,再次進(jìn)行仿真,得到的最終衰減器全通道 S 參數(shù)如圖 10 和圖 11 所示,可以看到在 39GHz 和 49GHz 處有明顯改變。
圖 10 優(yōu)化后最大衰減配置下的全通道 S 參數(shù)
圖 11 優(yōu)化后最小衰減配置下的全通道 S 參數(shù)
04、投入資源與時間
此次運算運用 3 核計算(沒有使用 HPC 模塊),用時 01:28:37
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05、結(jié)論
ANSYS HFSS 可以實現(xiàn)從建模到仿真以及多目標(biāo)優(yōu)化的全過程設(shè)計,大大提高了設(shè)計效率,縮短研發(fā)周期;
ANSYS HFSS 解決方案可解決衰減器設(shè)計流程中可能遇到的頻點性能惡化的情況,并針對問題頻點進(jìn)行性能優(yōu)化;
利用 ANSYS HFSS 完整的虛擬原型設(shè)計,從而提升研發(fā)設(shè)計能力,有效指導(dǎo)新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計,節(jié)省產(chǎn)品開發(fā)成本。