貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

2021/08/23 作者：與非網(wǎng)編輯

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專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。

貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對(duì)稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達(dá)13.3 dB的增益，并能在Doherty設(shè)計(jì)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高達(dá)90 W的超高效信號(hào)峰值功率。

為了便于開發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評(píng)估板。此平臺(tái)包括一個(gè)示例應(yīng)用電路，在與現(xiàn)有設(shè)計(jì)結(jié)合使用時(shí)可加快原型設(shè)計(jì)速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對(duì)稱Doherty設(shè)計(jì)等應(yīng)用。

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