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當(dāng)VGS>VTH時，MOSFET表現(xiàn)為一個壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。當(dāng)漏極電壓逐夠大的時候，MOS管會表現(xiàn)為一個壓控電流源。這使得MOSFET可以成為一個放大器。
那到底是什么讓MOSFET可以成為一個壓控電流源呢？我覺得是MOSFET的通道夾斷效應(yīng)(channel Pinch-off)。
那什么是通道夾斷效應(yīng)呢？
（1）當(dāng)柵極和P型襯底接觸面之間的電勢差大于VTH時，開始形成溝道。如果VD=VS=0時，雖然溝道形成，但是還是沒有電流，因此沿著溝道長度處的電勢相等。
（2）加大VD的電壓，使得VD>0&VG-VD>Vth，溝道中開始有電流形成，而由于溝道電阻的存在，所以沿著溝道長度處的電勢是不等的，靠近源極處為0，而靠近漏極處為VD。所以此時，柵極和P型襯底接觸面之間的電勢差也是不等的，靠近源極處為VG，而靠近漏極處為VG-VD。
（3）繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD=Vth，此時在x=L,即漏極處，溝道截止。即產(chǎn)生通道夾斷效應(yīng)。
（4）在繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD<Vth，則溝道仍然截止，但截止點位于漏極和源極之間的某處，如L1<L處截止。而在L1與L處則沒有通道。
那在L1和L之間沒有通道了，那是不是就沒有電流了呢？答案當(dāng)然不是啦，要不然MOSFET管就不會像今天這么流行了。因為漏極是n型摻雜，襯底為P型摻雜，所以漏極和襯底之間有一個PN結(jié)，且VD>0, VSUB=0，即n區(qū)域的電勢高于P區(qū)域的電勢，即PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，所以其存在耗盡區(qū)。而耗盡區(qū)內(nèi)的電場，則會把到達(dá)溝道截止處的電子吸引過來，保證電子可以繼續(xù)通過。
但是，此時，VD不會對電流的大小具有顯著影響了，這時MOSFET就表現(xiàn)為一個恒流源。
上面是定性分析，下面可以更進(jìn)一步，采用定量分析的方法，來看一下，為什么此時MOSFET像個恒流源了呢？在分析這個問題之前，先定義幾個變量。變量1：Cox,單位面積下柵極與溝道之間的電容，單位為F/m2.變量2：C，單位長度下柵極與溝道之間的電容，單位為F/m變量3：V，柵極與溝道之間的電壓變量4：W，柵極的寬度變量5：L，溝道的長度 變量6：Q,單位長度下溝道中的自由電子，即電荷密度,單位為 Q/m變量7：v,電荷的移動速度
現(xiàn)在，開始公式推導(dǎo)之旅。
C=W*CoxV=VGS-VTH(因為當(dāng)VGS<VTH時，不存在自由電荷)V(x)=VGS-V(x)-VTH(因為溝道電勢隨位置變化，在源極V(x)=0)Q(x)=C*V(x)=WCox(VGS-V(x)-VTH),溝道上的電荷密度I=dQ/dt=v*dt*Q(x)/dt=v*Q(x)
因為溝道中的電流，主要是在電場作用下移動，所以屬于漂移電流，因此：
則得到以下公式：
而ID在通道中，是恒定的，因為電子也沒啥地方可去，只能從源極跑到漏極。所以：
當(dāng)VDS<VGS-VTH時，為triode region，也稱為線性區(qū)域；當(dāng)VDS>VGS-VTH時，為飽和區(qū)域。不過在線性區(qū)域處，還存在一個深度線性區(qū)域，即VDS<<2(VGS-VTH)，此時
即對于固定的VGS，ID與VDS呈線性關(guān)系，即MOS管表現(xiàn)為一個簡單的線性電阻。
由于通道長度調(diào)制效應(yīng)，飽和區(qū)的本來平坦的直線會微微上翹。這是因為當(dāng)溝道夾斷效應(yīng)發(fā)生后，L1在某種程度上，也會受VDS的影響，即VDS越大，L1會變小，但是變小的程度不大。所以，當(dāng)VDS變大時，ID也會有一定程度的變大。此時，
不再是∞，不過由于ID-VDS的斜率不高，所以輸出電阻還是比較大。
