芯片世界地圖 | 韓國（一）：窺見日本秘笈，成就存儲霸主

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最近韓國的經(jīng)濟(jì)形勢甚是堪憂，三大巨頭接連摔跟頭。樂天深陷非法集資案調(diào)查打響危機(jī)第一搶，緊接著三星 Note7 遭受史上最慘的爆炸門，天有不測風(fēng)云韓進(jìn)海運也向法院提出破產(chǎn)申請，現(xiàn)在的韓國可謂一團(tuán)糟。

最近盛傳的段子：華為、蘋果與三星斗地主，蘋果說：“我出 7！”華為說：“我出 9！”然后三星說：“我炸！”

三星 Note7 作為機(jī)皇，本是對抗蘋果 7 的絕殺武器，然而剛剛?cè)胧芯蛻K遭爆炸門。直接導(dǎo)致三星市值蒸發(fā)千億，并承受巨大的直接經(jīng)濟(jì)損失。250 萬部 Note7 手機(jī)的召回，高達(dá) 300 多億元的損失。與此同時，三星的品牌沖擊似乎在短期是無法修復(fù)的，這也許會成為三星的致命一擊。三星電子是韓國最大的電子工業(yè)企業(yè)，起著支柱的作用。

本期的《芯片世界地圖》，與非小編就從三星電子切題，帶著大家看看韓國半導(dǎo)體的發(fā)展史及輝煌面具下的恐慌。

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半導(dǎo)體為韓國代表性的出口項目，出口金額占韓國整體出口金額的 10%以上，占通訊（ICT）出口金額比重在 3 成以上，2015 年半導(dǎo)體出口金額達(dá) 629 億美元。

一．發(fā)展路徑

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從引進(jìn)技術(shù)、進(jìn)行生產(chǎn)加工及服務(wù)開始，并逐漸走上自主創(chuàng)新并掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的道路。

上世紀(jì) 80 年代，韓國半導(dǎo)體只是站在世界的邊緣，扮演著名不見經(jīng)傳的角色。而這時，對岸相望的日本卻是輝煌無比，占據(jù)這半壁江山。在看到日本通過大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)，并帶動電器、電子、通信和整個信息業(yè)的成功后，韓國也效仿了起來。

政府推動、“財閥”大量資金投入從此給韓國半導(dǎo)體發(fā)展插上了兩個翅膀。

上世紀(jì) 90 年代起，現(xiàn)代集團(tuán)的現(xiàn)代電子、三星集團(tuán)的三星電子、金星集團(tuán)的 LG 電子等韓國廠商，著手興建各自的半導(dǎo)體存儲器生產(chǎn)廠。政府宏觀調(diào)控引導(dǎo)資金流向,將 95%的資金提供給大企業(yè),使其優(yōu)先發(fā)展并與國外跨國公司抗衡。

上世紀(jì) 90 年代中期，三星電子與東芝、通用儀器、ISD、三菱、日本電器、富士通等結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟關(guān)系。于此同時，韓國利用存儲方面的技術(shù)優(yōu)勢與國外企業(yè)交換非存儲器技術(shù)；通過并購有所需技術(shù)的國外企業(yè)，壯大自身技術(shù)領(lǐng)域。

21 世紀(jì)韓國半導(dǎo)體在世界站穩(wěn)腳跟
2003 年，三星超越索尼和松下，成為亞洲最大的信息產(chǎn)業(yè)公司。從 2003 到 2013 年，更是韓國半導(dǎo)體迅猛發(fā)展的 10 年。2003 年生產(chǎn)額為 139 億美元，世界市占率為 7.4%，位居世界第四位；2013 年的生產(chǎn)額為 515 億美元，世界市占率為 16.2%，超過日本躍居成為世界第二位。

內(nèi)存半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支柱，自從 2002 年高居世界首位(占有率達(dá)到 32.9%)以來，借助獨特的市場及技術(shù)優(yōu)勢，其影響力也不斷擴(kuò)大。2013 年世界市場占有率達(dá)到了 52.4%，以壓倒性優(yōu)勢在世界內(nèi)存市場稱霸。而 2013 年至今，韓國在存儲領(lǐng)域也是世界領(lǐng)跑。

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發(fā)展源動力
1.? 政府推動

• ?1975 年，成立韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院
• ?1976 年，成立韓國電子技術(shù)研究所，重要工作是進(jìn)行超大規(guī)模集成電路的研究，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家級科研項目的開發(fā)
• 1986 年~1993 年，政府實施“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”
• 1997 年，政府通過“新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項目”

下圖為韓國政府促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃和立法。

2.? 產(chǎn)學(xué)研合作

在“超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃”的推動下，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG 等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研究開發(fā)組織。集中人才、資金，進(jìn)行從 1M 到 64M 的 DRAM 核心基礎(chǔ)技術(shù)（又稱：源泉技術(shù)）的開發(fā)。

3.? 企業(yè)從引進(jìn)到自主研發(fā)
為縮短與先進(jìn)國的技術(shù)差距，企業(yè)積極導(dǎo)入國外技術(shù)，比如三星從 Micro Technology 與 Aytrex、現(xiàn)代從德州儀器與 Vitelic、LG 從 Micro Technology 與 AT&T 進(jìn)行技術(shù)的引進(jìn)。

受益于源泉技術(shù)，16M 以后的 DRAM 轉(zhuǎn)為以企業(yè)開發(fā)為主。1992 年 11 月，成功開發(fā)出 64M DRAM；1997 年末，成功開發(fā)出 256M DRAM 的基礎(chǔ)技術(shù)和 1G DRAM 的先進(jìn)基礎(chǔ)技術(shù)；2014 年 4 月，開發(fā)出業(yè)內(nèi)最早 4G DRAM。

韓國半導(dǎo)體的快速發(fā)展堅持的是循序漸進(jìn)的方式，引進(jìn)、合作、自主融合。內(nèi)部技術(shù)與外部技術(shù)的整合，是三星能迅速崛起的一個捷徑選擇。

關(guān)于韓國半導(dǎo)體的生存現(xiàn)狀，請查看：

韓國半導(dǎo)體（二）：輝煌至極又如何，半導(dǎo)體的小船說翻就翻

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