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    • 1.IR2110引腳圖及功能
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IR2110引腳圖及功能 IR2101和IR2110有什么區(qū)別

2023/02/09
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IR2110和IR2101都是用于驅(qū)動(dòng)高速和高功率開關(guān)的器件,但它們之間存在一些區(qū)別。

1.IR2110引腳圖及功能

IR2110芯片共有14個(gè)引腳,分為三組:高側(cè)驅(qū)動(dòng)引腳、低側(cè)驅(qū)動(dòng)引腳和控制邏輯引腳。

高側(cè)驅(qū)動(dòng)引腳:

  • VB(Bootstrap Supply Voltage):電荷泵電路電源引腳,提供高側(cè)驅(qū)動(dòng)電壓。
  • HO(High-Side Output):高側(cè)輸出引腳,連接到功率開關(guān)管的柵極
  • VS(Supply Voltage):電源正極引腳,連接到+12V至+600V DC電源。
  • GND1(Ground):地線引腳,連接到電源負(fù)極和系統(tǒng)地線。

低側(cè)驅(qū)動(dòng)引腳:

  • HIN(High-Side Input):高側(cè)輸入引腳,接收控制信號(hào)。
  • LIN(Low-Side Input):低側(cè)輸入引腳,接收控制信號(hào)。
  • LO(Low-Side Output):低側(cè)輸出引腳,連接到功率開關(guān)管的源極。
  • GND2(Ground):地線引腳,連接到電源負(fù)極和系統(tǒng)地線。

控制邏輯引腳:

  • SD(Shutdown):關(guān)斷輸入引腳,用于控制芯片的工作狀態(tài)。
  • REF(Reference Voltage):參考電壓引腳,用于選擇高側(cè)驅(qū)動(dòng)器閾值電壓。
  • VCC(Voltage Collector Current):集電極電流引腳,用于測量輸出電流并保護(hù)芯片。
  • CT(Current Transformer):電流互感器引腳,用于檢測高側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出電流,從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。
  • COMP(Compensation):補(bǔ)償引腳,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。

主要功能:

IR2110芯片具有以下主要功能:

  • 支持高壓、高速驅(qū)動(dòng),可驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET等功率開關(guān)管。
  • 內(nèi)置電荷泵電路,提供高側(cè)驅(qū)動(dòng)電壓,增強(qiáng)輸出能力。
  • 雙路輸入信號(hào),支持四種不同的控制模式。
  • 內(nèi)置短路保護(hù)、過溫保護(hù)、過電壓保護(hù)、欠壓保護(hù)和過流保護(hù)等多種保護(hù)機(jī)制。
  • 強(qiáng)大的抗干擾能力和電磁兼容性,可適應(yīng)各種惡劣工作環(huán)境。

總之,以上是IR2110引腳圖及主要功能介紹。在使用IR2110芯片時(shí),需要根據(jù)具體應(yīng)用場景和需求,合理選擇引腳的接法和參數(shù)設(shè)置,以達(dá)到最佳的驅(qū)動(dòng)效果。

2.IR2101和IR2110有什么區(qū)別

IR2101和IR2110都是針對IGBT、MOSFET等高壓開關(guān)驅(qū)動(dòng)芯片,它們有以下幾個(gè)區(qū)別:

  1. 工作電壓范圍:IR2101的工作電壓范圍為10V-20V,而IR2110的工作電壓范圍為12V-20V。因此,在較低的工作電壓下,IR2110可以提供比IR2101更好的性能。
  2. 驅(qū)動(dòng)能力:IR2110具有更強(qiáng)大的輸出驅(qū)動(dòng)能力,可以為高電流和高功率MOSFET和IGBT提供更快速、更強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
  3. 損耗:由于IR2110具有更高的輸出電流能力,其內(nèi)部消耗的功率也相對更大,所以產(chǎn)生的損耗會(huì)比IR2101高一些。
  4. 輸出極性控制:IR2110允許用戶通過選擇輸入信號(hào)的極性來選擇輸出極性,而IR2101則沒有這個(gè)功能。
  5. 占空比控制:IR2110具有占空比控制功能,可以實(shí)現(xiàn)PWM調(diào)節(jié)控制,而IR2101不支持占空比控制功能。

總之,IR2110與IR2101相比,具有更廣泛的工作電壓范圍、更強(qiáng)大的輸出驅(qū)動(dòng)能力和更多的功能特性,同時(shí)產(chǎn)生的損耗也更大。如果需要高電流和高功率MOSFET或IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào),則IR2110可能是更好的選擇;如果需要更低的功耗和簡單的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),則IR2101可能更適合。

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