半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(Semiconductor Memory)是一種電子計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器件,它通過半導(dǎo)體材料制成,可實(shí)現(xiàn)高速讀寫和無需傳統(tǒng)機(jī)械部件的特性。按照存儲(chǔ)原理、存儲(chǔ)介質(zhì)、存取方式等多個(gè)維度進(jìn)行分類。
1.基于存儲(chǔ)原理分類
基于存儲(chǔ)原理,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。
SRAM采用邏輯門電路來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),讀寫速度快,但集成密度低、功耗大。
DRAM采用電容器存儲(chǔ)電荷量表示0/1狀態(tài),因此在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)需要刷新操作,但集成密度高、成本低。
2.基于存儲(chǔ)介質(zhì)分類
基于存儲(chǔ)介質(zhì),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為RAM(Random Access Memory)和ROM(Read-Only Memory)。
RAM是一種易失性存儲(chǔ)器,讀寫速度快,但掉電即丟失數(shù)據(jù)。包括SRAM和DRAM兩類。
ROM是一種只讀存儲(chǔ)器,通常用于存儲(chǔ)固化的代碼或數(shù)據(jù),如主板上的BIOS芯片、U盤等。其中EPROM可通過燒錄方式修改存儲(chǔ)內(nèi)容,但需要專門器件實(shí)現(xiàn)。
3.基于存取方式分類
基于存取方式,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為串行訪問存儲(chǔ)器和并行訪問存儲(chǔ)器。
串行訪問存儲(chǔ)器適用于數(shù)據(jù)量小、帶寬要求較低的應(yīng)用場(chǎng)景,如I2C總線上的EEPROM。
并行訪問存儲(chǔ)器適用于數(shù)據(jù)量大,帶寬要求高的應(yīng)用場(chǎng)景,如處理器緩存。