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鍺二極管是一種半導(dǎo)體器件，與硅二極管相比具有更低的費(fèi)用和更廣泛的使用范圍。當(dāng)正向偏壓被施加到鍺二極管上時(shí)，其會開始導(dǎo)通，形成電流路徑。而在反向偏壓下，它則基本不會導(dǎo)電。
1.鍺二極管的導(dǎo)通電壓是多少
導(dǎo)通電壓是指鍺二極管開始傳導(dǎo)電流所需的最小正向偏壓。它的值取決于器件的特性和工作溫度，通常在0.2V至0.4V之間。與硅二極管相比，鍺二極管的導(dǎo)通電壓較低。
2.鍺二極管的死區(qū)電壓是多少
鍺二極管的死區(qū)電壓也叫反向擊穿電壓，是指鍺二極管在反向偏壓下，達(dá)到擊穿的最小電壓。其值也取決于器件的特性和工作溫度，通常在60V至80V之間。
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