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氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢？

氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度?？梢詭淼蛽p耗和高開關頻率：低損耗可以減少導通電阻引起的熱量，高開關頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時，GaN具有更小的Qg，可以很容易地提高頻率，降低驅動損耗。

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2023/09/12

氮化鎵芯片硅芯片

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？

氮化鎵?(GaN)?可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面?AC-DC?電源。Keep Tops?氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。當用于電源時，GaN?比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。為了遏制這些損失，GaN?晶體管（取代舊的硅技術）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關注。

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2023/08/29

氮化鎵芯片硅芯片

2nm，硅芯片終極之戰(zhàn)？

盡管絕大部分半導體市場都被成熟制程占據(jù)，多數(shù)應用領域并不需要用到更先進的2nm制程，但各企業(yè)還是競相追逐，甚至近日傳出日美兩大半導體大國要聯(lián)合研發(fā)2nm芯片的消息?！?nm現(xiàn)象”，值得深思。