負(fù)載電容

• 理解晶體負(fù)載電容（CL）與PCBA負(fù)載電容的關(guān)系

  晶發(fā)電子專注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時(shí)鐘晶振、有源晶振、無(wú)源晶振等，產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過(guò)硬,價(jià)格好,交期快.國(guó)產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 在振蕩器電路的設(shè)計(jì)中，晶體負(fù)載電容（CL）與印刷電路板（PCBA）負(fù)載電容的關(guān)系是確保振蕩器輸出頻率無(wú)偏差的關(guān)鍵因素。以下是關(guān)于這兩種負(fù)載電容關(guān)系的詳細(xì)解釋。 晶體負(fù)載電容（CL）的作用 晶體負(fù)載電

  晶發(fā)電子

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  2024/08/12

  晶振 PCBA
• 如何正確計(jì)算并使用晶振的外接負(fù)載電容

  晶發(fā)電子專注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時(shí)鐘晶振、有源晶振、無(wú)源晶振等，產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過(guò)硬,價(jià)格好,交期快.國(guó)產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 晶體振蕩器(晶振)是電子設(shè)備中常用的頻率源，其性能的穩(wěn)定性很大程度上取決于外接負(fù)載電容的選擇。然而，直接使用晶振規(guī)格書上的負(fù)載電容CL值并不是一個(gè)準(zhǔn)確的做法。以下是如何正確計(jì)算并使用晶振外接負(fù)載電容

  晶發(fā)電子

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  2024/08/09

  晶振 負(fù)載電容
• 外接電容越大晶振起振越慢?

  首先說(shuō)明的是:但凡需要外接電容的晶振均為無(wú)源晶振。另外，注意區(qū)分外接電容C1和C2（接地電容，對(duì)地電容）并不等同于晶振負(fù)載電容（CL）。C1和C2是電路板和包括IC和晶振在內(nèi)的組件的總電容值。

  晶科鑫 SJK晶振

  1646

  2024/05/13

  電容 晶振
• 負(fù)載電容對(duì)晶振頻率穩(wěn)定性的影響

  在電子系統(tǒng)中，晶振是產(chǎn)生精確頻率的關(guān)鍵元件，而負(fù)載電容是影響晶振頻率穩(wěn)定性的重要因素之一。本文將深入探討負(fù)載電容對(duì)晶振頻率穩(wěn)定性的影響，并分析如何通過(guò)合理的選擇和設(shè)計(jì)來(lái)減小這種影響。

  晶發(fā)電子

  1947

  2023/12/24

  晶振頻率 負(fù)載電容
• 晶振參數(shù)中的負(fù)載電容CL是什么？

  在晶振的振蕩電路中，負(fù)載電容CL是指連接到無(wú)源晶振頻率引腳終端上的電容總數(shù)。CL值取決于外部電容器CL1、CL2和雜散電容Cs。對(duì)于晶振單體而言，負(fù)載電容CL則屬于它本身重要電氣參數(shù)之一，由晶振制造商給出，可在晶振數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。

  晶發(fā)電子

  4729

  2023/11/01

  晶振 負(fù)載電容
• 晶體諧振器電路應(yīng)用篇：晶體諧振器電路應(yīng)用三個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)

  關(guān)于晶體諧振器電路應(yīng)用三個(gè)常見(jiàn)誤區(qū)：若對(duì)晶體諧振器施加過(guò)大的驅(qū)動(dòng)電平，可能會(huì)導(dǎo)致其物理特性惡化或損壞。電路設(shè)計(jì)必須確保為晶體諧振器提供合適范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電平。針對(duì)每一款晶體諧振器Drive level (驅(qū)動(dòng)電平)的大小，晶科鑫的晶體諧振器規(guī)格書都有清晰注明。

  晶科鑫 SJK晶振

  973

  2023/04/12

  電路設(shè)計(jì) 振蕩電路

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