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DMOS與CMOS器件結(jié)構(gòu)類似,也有源、漏、柵等電極,但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。
DMOS與CMOS器件結(jié)構(gòu)類似,也有源、漏、柵等電極,但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。收起
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