SiC

• 溝槽結構碳化硅的外延填充方法
  

  ?一、引言溝槽結構碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內填充高質量的外延層，以實現(xiàn)器件的電學和熱學性能要求。這一過程中，不僅要保證外延層的填充率，還要避免空洞和缺陷的產(chǎn)生，從而確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。二、外延填充方法1. 實驗準備在進行外延填充之前，首先需要通過實驗確定外延生長和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有相同溝槽結構的生長實驗片和刻蝕實驗片進行試驗。

  萬智光學

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  12/30 08:42

  半導體 SiC
• 該8寸SiC工廠已投產(chǎn)試運行
  

  近期，行業(yè)內又有一座8英寸SiC晶圓廠宣布投產(chǎn)試運行！12月24日，據(jù)日媒報道，日本宮崎縣在11月24日舉行的企業(yè)選址推進總部會議上，匯報了羅姆正在宮崎縣國富町建設的新工廠的情況，稱該工廠已于11月底開始試運行。

  行家說三代半

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  12/27 08:43

  SiC 晶圓廠
• 投資近30億！新增2個SiC項目
  

  近日，國內外又新增2個SiC項目動態(tài)，公開投資金額將近30億：12月24日，據(jù)天門市融媒體中心透露，科瑞半導體正在推進第三代半導體等功率器件封測產(chǎn)線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC基礎工藝封測產(chǎn)線建設，擴建半導體功率器件框架生產(chǎn)線。

  行家說三代半

  643

  12/26 09:06

  SiC 封測

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