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Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%85%AC%E5%8F%B8/">半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點(diǎn)，過壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實(shí)現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護(hù)。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動(dòng)方式與 Si MOSFET 類似，無需復(fù)雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開關(guān)頻率下能大幅降低開關(guān)損耗，并縮小尺寸，減輕重量?；谶@些優(yōu)勢(shì)，該產(chǎn)品在同類產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能，并且與 SMPS 應(yīng)用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。
Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人
“CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 確立了其創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位。弗吉尼亞理工學(xué)院（Virginia Tech）的獨(dú)立研究已證實(shí)，ICeGaN 是業(yè)界堅(jiān)固耐用的 GaN 器件，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 一樣驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)單易用，有助于市場(chǎng)迅速接納此類新產(chǎn)品。GaN的效率優(yōu)勢(shì)廣為人知， ICeGaN 在滿載范圍內(nèi)的性能表現(xiàn)令人印象深刻。”
ICeGaN H2 系列采用創(chuàng)新 NL3（空載和輕載）電路，與 GaN 開關(guān)一同集成在片上，功耗創(chuàng)歷史新低。采用（片上）集成米勒鉗位的先進(jìn)箝位結(jié)構(gòu)，無需負(fù)柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)真正的零電壓關(guān)斷，并提高動(dòng)態(tài) RDS(ON) 性能。這些 e-mode（常關(guān)）單芯片 GaN HEMT 包含單片集成接口和保護(hù)電路，因此具備卓越的柵極可靠性，并且可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。最后，電流檢測(cè)功能可降低功耗，并允許直接接地，以優(yōu)化散熱和 EMI 性能。
Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人
“CGD 成功解決了所有通常會(huì)減緩新技術(shù)推廣進(jìn)程的挑戰(zhàn)。此外，我們現(xiàn)已成功建立了可靠的供應(yīng)鏈體系，可以滿足市場(chǎng)對(duì) H2 系列 ICeGaN 晶體管的大規(guī)模需求?！?/p>
