超3.3億！新增4個氮化鎵項目

近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關項目，詳情請看：

山東：新增2個GaN單晶項目

“行家說三代半”獲悉，山東濟南、臨沂兩地均新增了GaN項目：

●?濟南：簽約晶鎵半導體

10月18日，據(jù)“投資濟南”官微消息，濟南市半導體、空天信息產業(yè)高價值技術成果本市轉化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項目——

據(jù)悉，山東晶鎵半導體有限公司入駐新一代半導體公共服務平臺項目，將依托山東大學晶體材料國家重點實驗室、新一代半導體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術成果，后續(xù)將開展第三代半導體材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)、生產和銷售，為電子、通信、計算等多個行業(yè)提供基礎支撐。

資料顯示，晶鎵半導體成立于2023年8月，主要從事第三代半導體材料氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產和銷售；已與山東大學開展全方位產學研合作。是國際上少數(shù)具有完全自主知識產權的GaN自支撐單晶襯底生產制造廠家。

●?臨沂：建設2英寸氮化鎵單晶襯底項目

10月18日，據(jù)“中交雄安建設有限公司”官微披露，臨沂市委書記任剛于16日到羅莊高新廠房項目調研，實地察看了一GaN項目建設進展。

任剛表示，羅莊區(qū)各相關部門要為項目建設保駕護航，保證項目順利投產，利用氮化鎵廣闊的發(fā)展和應用前景，帶動全市機械加工、軟件、精加工等產業(yè)快速發(fā)展。

據(jù)悉，該GaN項目建成后，將與北京化工大學進行技術合作，采用具有獨立技術產權的單晶襯底生產技術，引進先進的HVPE單晶氮化鎵生產設備，特別是高HVPE單晶生產設備，生產2英寸氮化鎵單晶襯底，將填補國內大尺寸、多片機生產氮化鎵單晶襯底設備的空白。

浙江桐鄉(xiāng)：簽約GaN外延項目

10月10日，據(jù)“桐鄉(xiāng)發(fā)布”官微消息，桐鄉(xiāng)臨空經(jīng)濟區(qū)舉行了招商推進會，42個優(yōu)質項目集中簽約，總投資達54.4億元，其中包括一個GaN外延項目。

據(jù)悉，一個從事高性能、高品質氮化鎵半導體外延片與芯片研發(fā)、生產及銷售的氮化鎵半導體外延片項目簽約落戶屠甸鎮(zhèn)。

目前該項目暫無更多信息披露，“行家說三代半”將持續(xù)關注報道，敬請關注。

中國臺灣：簽約GaN外延項目

10月4日，據(jù)“新竹科學園區(qū)”消息，中國臺灣第19次國科會科學園區(qū)審議會成功召開，會上通過了5起投資案，其中包括冠亞半導體GaN項目。

消息披露，冠亞半導體計劃投資15億元新臺幣（約3.3億人民幣）在新竹園區(qū)新建項目，生產氮化鎵功率器件相關產品，產品規(guī)格包括650V（GaN on Si）以下和1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上，適用于高壓、高功率、高速及低能耗的應用環(huán)境。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，冠亞半導體于今年5月正式承接母公司臺亞半導體的8英寸GaN業(yè)務，預計分割營業(yè)價值為10億元新臺幣（約合人民幣2.2億）。

冠亞半導體總經(jīng)理衣冠君曾透露，臺亞半導體氮化鎵初期產能建置以6英寸晶圓為主，現(xiàn)已完成第一代650V 150毫歐D-modeHEMT的動態(tài)可靠度測試，并送樣給國內外客戶，并以晶圓代工模式接受訂單（冠亞代工）。

此外，冠亞8英寸第1套生產線目前已完成全部設備進機，目標今年第三季度初啟動相關器件開發(fā)，年底前通過產品驗證。