新品速遞 | 希荻微推出具有1:2反向升壓模式的新型雙相30W電荷泵充電芯片

日前，中國領(lǐng)先的模擬芯片廠商——希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(以下簡稱“希荻微”)宣布推出一款具有1:2反向升壓模式的新型雙相30W電荷泵充電芯片——HL7132D。相較于傳統(tǒng)的充電解決方案，HL7132D具有更快的充電速度和更高的效率，能夠有效優(yōu)化手機(jī)充電體驗(yàn)。該芯片還內(nèi)置了多種保護(hù)機(jī)制，確保手機(jī)充電安全可靠。

一、 產(chǎn)品簡述

HL7132D是一款低壓快充芯片，適用于單節(jié)鋰離子電池和鋰聚合物電池。該芯片集成了一個(gè)雙相開關(guān)電容轉(zhuǎn)換器和反向阻斷MOSFET(QRB FET)，同時(shí)當(dāng)外接電容每相1x22μF, FSW =1.1MHz時(shí)，VOUT=4.5V@5A的效率是97.11%。雙相架構(gòu)降低了對(duì)輸入電容的要求(可節(jié)省空間和成本)，并降低了輸入電壓紋波。

HL7132D具有兩種不同的開關(guān)模式,分別是2:1電荷泵模式和1:2反向電荷泵模式。在2:1電荷泵模式下，輸出電壓(VOUT)變?yōu)檩斎腚妷?VIN)的一半，輸出電流(IOUT)變?yōu)檩斎腚娏?IIN)的2倍。該模式可有效降低輸入電源在充電線上的損耗，并控制了手機(jī)充電應(yīng)用中的溫升。而在1:2反向電荷泵模式下，輸入電壓(VIN)變?yōu)檩敵鲭妷?VOUT)的2倍，1:2電荷泵操作允許在系統(tǒng)配置時(shí)通過無線或有線方式與另一器件共享電源。

HL7132D通過控制QBR FET提供恒流(CC)和恒壓(CV)調(diào)節(jié)，以便在2:1電荷泵模式下安全充電。CC調(diào)節(jié)通過輸入電流檢測或電池電流檢測的閉環(huán)進(jìn)行密切監(jiān)控，CV調(diào)節(jié)通過電池電壓檢測的閉環(huán)進(jìn)行控制。為了進(jìn)一步提高安全性，HL7132D還配備了一個(gè)熱調(diào)節(jié)環(huán)路，以防CC/CV調(diào)節(jié)導(dǎo)致器件過熱，如果CC/CV環(huán)路在2:1電荷泵模式下運(yùn)行期間導(dǎo)致過熱，該環(huán)路將啟動(dòng)保護(hù)。

HL7132D具有全面的保護(hù)功能，不僅可以確保設(shè)備安全運(yùn)行，還可以確保系統(tǒng)正常運(yùn)行。此外，HL7132D還可以通過10位ADC和中斷信號(hào)提供所有必要的信息，以便系統(tǒng)以更安全的方式為電池充電。HL7132D采用WLCSP封裝，是智能手機(jī)、平板電腦和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想選擇。

二、 產(chǎn)品優(yōu)勢

1. 更小的芯片尺寸，賦能產(chǎn)品更高的設(shè)計(jì)靈活性。

與友商競品相比，HL7132D的封裝尺寸更小，從而縮小了系統(tǒng)占用的面積，賦能產(chǎn)品更高的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)靈活性，使得整體解決方案更加精巧。

2. 更少的熱量損耗，高效提升產(chǎn)品續(xù)航能力。

與友商競品相比，HL7132D的能源利用率更高，意味著更少的電能流失和熱量損耗，從而提升了產(chǎn)品的節(jié)能環(huán)保性能，幫助產(chǎn)品高效提升續(xù)航能力，為用戶帶來更持久的使用體驗(yàn)。

3. 更精準(zhǔn)的溫度調(diào)節(jié)，有效延長產(chǎn)品使用壽命。

與友商競品相比，HL7132D具有獨(dú)特的芯片溫度調(diào)節(jié)功能。通過該功能，HL7132D能夠更好地控制和調(diào)節(jié)芯片溫度，從而提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，延長產(chǎn)品的使用壽命,為用戶帶來更加出色的使用體驗(yàn)。

HL7132D優(yōu)勢規(guī)格參數(shù)表：

三、 展望未來

希荻微總經(jīng)理David Nam表示:“我們很高興地宣布希荻微鋰電池充電產(chǎn)品線又添一款高性能電荷泵新品--HL7132D”。HL7132D提供2:1電荷泵和1:2反向電荷泵模式，并搭載全面的安全功能。未來，我們會(huì)持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能，推進(jìn)技術(shù)升級(jí)和創(chuàng)新，為消費(fèi)類電子和物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)帶來更多的變革與發(fā)展機(jī)遇。