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    • 01、美國(guó)持續(xù)加注化合物半導(dǎo)體
    • 02、SiC半導(dǎo)體競(jìng)賽
    • 03、總結(jié)
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SiC爭(zhēng)霸賽,誰(shuí)在豪擲千金?

2023/08/09
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“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。

2021年10月,由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)獲得了1787萬(wàn)美元的資助,用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。

該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育,以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線,能夠讓美國(guó)大學(xué),企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期的競(jìng)爭(zhēng)性研究。該項(xiàng)目的建設(shè)周期為五年,第一階段對(duì)現(xiàn)有潔凈實(shí)驗(yàn)室的擴(kuò)建就于明年正式運(yùn)營(yíng)。

對(duì)于該研究中心來說,這是一筆不菲的資金,但對(duì)于美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)來說,這只是其在寬禁帶半導(dǎo)體布局的一個(gè)縮影。

01、美國(guó)持續(xù)加注化合物半導(dǎo)體

美國(guó)對(duì)第三代半導(dǎo)體的資助由來已久,2000年美國(guó)能源部、國(guó)防部以及科學(xué)技術(shù)委員會(huì)便制定了有關(guān)GaN和SiC半導(dǎo)體材料的開發(fā)項(xiàng)目;2010年,美國(guó)推出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃,推動(dòng)高性能 SiC、GaN 材料在雷達(dá)、武器、電子通信與對(duì)抗等系統(tǒng)中的應(yīng)用。

進(jìn)入2013年,奧巴馬成立了清潔能源制造創(chuàng)新學(xué)院,重點(diǎn)聚焦寬禁帶半導(dǎo)體的研究和發(fā)展,2014年奧巴馬又在北卡羅來納州立大學(xué)建立下一代電力電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心,加速、加強(qiáng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,美國(guó)能源部在此后5年里向該中心提供了7000萬(wàn)美元的財(cái)政支持,另外還將有7000萬(wàn)美元配套資金分別來自企業(yè)、高校等創(chuàng)新中心成員和北卡羅來納州政府。

此外,2017年,美國(guó)能源部又宣布使用創(chuàng)新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體創(chuàng)造新型可靠電路(CIRCUITS)計(jì)劃,該計(jì)劃投資3000萬(wàn)美元資助21個(gè)項(xiàng)目,聚焦新型電路拓?fù)?/a>結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)設(shè)計(jì),最大化第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的性能,資助的企業(yè)包括Wolfspeed、Infineon等眾多企業(yè)和機(jī)構(gòu)。在過去的20年里,美國(guó)對(duì)化合物半導(dǎo)體的關(guān)注貫穿了歷屆政府。

02、SiC半導(dǎo)體競(jìng)賽

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析,受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求的帶動(dòng),SiC正在進(jìn)入一個(gè)高速發(fā)展期。僅以SiC功率元器件來看,截至2026年,SiC功率元器件的市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)到53.3億美元。

△TrendForce集邦咨詢

而SiC在新能源汽車、光伏、軍工等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,也讓其成為各國(guó)關(guān)注的焦點(diǎn)。目前各主要半導(dǎo)體國(guó)家都在針對(duì)SiC進(jìn)行著曠日持久的爭(zhēng)霸賽,而手段包括基金投資,政策扶持,免稅等措施。

美國(guó)有未來產(chǎn)業(yè)制造基金(AMF)、國(guó)家制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(NNMI)、以及國(guó)家科學(xué)基金(NSF)等眾多具有國(guó)家背景的基金對(duì)SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)行支持。以國(guó)家科學(xué)基金(NSF)為例,其不僅支持了阿肯色大學(xué)的SiC研究制造中心,還向一家名為MONSTR Sense企業(yè)撥款,以推動(dòng)后者在SiC和GaN領(lǐng)域檢測(cè)設(shè)備的開發(fā)。

美國(guó)之外,歐洲、日本、韓國(guó)等半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)也有基金對(duì)SiC等寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)行扶持,這些基金的資金既有來自政府背景的,也有來自民間背景。

除了基金扶持之外,針對(duì)從事SiC、GaN等領(lǐng)域研究與制造的企業(yè),各國(guó)也都有相應(yīng)的稅收減免,包括對(duì)設(shè)備折舊、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)、股票期權(quán)等多方面進(jìn)行稅收減免。比如,歐洲方面,一些歐盟成員國(guó)會(huì)提供稅收優(yōu)惠來吸引投資,一些國(guó)家會(huì)為專利和商標(biāo)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)的開發(fā)及商業(yè)化提供稅收優(yōu)惠。而日本方面,部分企業(yè)有資格享受研發(fā)費(fèi)用特別稅收減免,最高可減研發(fā)費(fèi)用的30%。

03、總結(jié)

正如文章開頭Alan Mantooth教授所言,以SiC為首的第三代化合物半導(dǎo)體能夠重塑全新的市場(chǎng)格局,誰(shuí)能夠領(lǐng)先,誰(shuí)就掌握了游戲規(guī)則,正是基于此,各半導(dǎo)體大國(guó)都在不遺余力的發(fā)展本國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)。(文:化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Jump)

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