電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵快充技術(shù)的普及，絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家，產(chǎn)品類型多樣，主控芯片品牌超過十個(gè)，使后續(xù)的氮化鎵快充市場(chǎng)多元化。開發(fā)開辟了最關(guān)鍵的一環(huán)。

1. 氮化鎵快速充電市場(chǎng)規(guī)模。

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍。Si）技術(shù)，并能夠在尖端的快速充電器產(chǎn)品中使用時(shí)提供三倍以上的功率，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率增加了三倍。

正是由于這些性能優(yōu)勢(shì)，使得氮化鎵在消費(fèi)類快充源極市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。充電頭網(wǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，目前已有數(shù)十家主流電源廠商開發(fā)了氮化鎵快充產(chǎn)品線，并陸續(xù)推出了數(shù)百款氮化鎵快充新品。眾多知名手機(jī)/筆記本品牌如華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等。已經(jīng)陸續(xù)進(jìn)入游戲，而蘋果也已經(jīng)推出了氮化鎵快速充電。

2. 氮化鎵控制器的分類。

通過調(diào)研了解到，目前市面上的氮化鎵控制器按照不同的分類規(guī)則，可以分為不同的類型。如按照芯片的集成程度，可以分為分立式氮化鎵控制器和封裝式氮化鎵控制儀兩種類型。根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可分為三種主流類型：LLC、ACF和QR。

分立式氮化鎵控制器：這類控制器在市場(chǎng)上應(yīng)用非常廣泛，其中最經(jīng)典的代表是安森美半導(dǎo)體NCP1342與此同時(shí)，隨著半導(dǎo)體國產(chǎn)化的趨勢(shì)，不少本土功率芯片企業(yè)也紛紛研發(fā)出氮化鎵控制器。與NCP1342相比，它們還采用了內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，可直接驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率器件。事實(shí)上，一個(gè)更精簡的外圍設(shè)計(jì)可以在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)。

KT65C1R200D內(nèi)置650V/200mΩGaN HE MT、邏輯控制器、GaN驅(qū)動(dòng)器和高壓啟動(dòng)管。它采用反激模式，并在DFN8x8mm封裝。輸出功率為45W，最大工作頻率為150KHz。

與傳統(tǒng)的控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN電路相比，KT65C1R200D只需要一個(gè)芯片就可以完成原來三個(gè)芯片可以完成的功能，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加簡化。同時(shí)，東科DKG045Q還具有多種工作模式，可降低待機(jī)功耗，提高輕載效率。芯片還內(nèi)置完整的保護(hù)功能，增加系統(tǒng)可靠性。

氮化鎵快速充電是未來消費(fèi)電源市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)，現(xiàn)已進(jìn)入商業(yè)快車道。它在USB PD領(lǐng)域大放異彩快速充電的來源和市場(chǎng)規(guī)模正在迅速擴(kuò)大。這一方面體現(xiàn)在進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)的終端品牌數(shù)量和成品氮化鎵快充產(chǎn)品數(shù)量的持續(xù)增加。另一方面，也體現(xiàn)在越來越多的氮化鎵功率器件制造商和氮化鎵控制器制造商進(jìn)入市場(chǎng)。

KeepTops KT65C1R200D作為氮化鎵快充的核心部件，GaN控制器已經(jīng)成為各個(gè)電源芯片廠商的重中之重。從本次系統(tǒng)總結(jié)中也可以看出，除了眾多國際一線品牌，本土的功率芯片廠商也開始在氮化鎵快充領(lǐng)域發(fā)力，推出性價(jià)比極高的產(chǎn)品服務(wù)市場(chǎng)。多元化發(fā)展提供了豐富的解決方案。

隨著眾多氮化鎵控制芯片廠商的進(jìn)入，各類氮化鎵快充控制器類型將進(jìn)一步完善，有利于避免產(chǎn)品同質(zhì)化，促進(jìn)市場(chǎng)健康發(fā)展。