加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • 01?高頻抑制
    • ※ 總??結(jié) ※
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

對比磁珠和電感對高頻信號的抑制能力

2023/11/06
2196
閱讀需 3 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

01?高頻抑制

一、前言

昨天使用了頻譜儀,測試了穿心磁珠對于高頻信號抑制能力。下面對比一下一個10微亨的色環(huán)電感,在同樣的情況下,對高頻信號抑制能力 。使用頻譜儀的跟蹤功能,輸出一個0dBm 射頻信號,測量通過磁珠 和電感之后,對應(yīng)信號的衰減特性。

二、測量結(jié)果

首先利用導(dǎo)線連接頻譜儀的輸出與輸入端口,頻譜儀輸出跟蹤信號的功率為 0dBm。接下來,使用 Normalize 功能,將接收頻譜進(jìn)行歸一化,歸一化 0dB。這樣便可以直接讀取電感、磁珠對不同頻率的衰減特性了。

▲ 圖1.2.1 歸一化之后的頻譜數(shù)值曲線

??首先測量多孔磁珠的衰減特性。這個測量結(jié)果和昨天測量結(jié)果基本一致,在 ?200MHz 左右,高頻衰減達(dá)到 20dB。之后,隨著頻率的增加,衰減能力減弱。在 1G Hz左右,衰減只有 5dB。更換成 10微亨的色環(huán)電感。這是測量的結(jié)果,在 30MHz之內(nèi),隨著頻率增加,高頻衰減下降,然后,衰減逐步變?nèi)?,到達(dá) 115MHz 時,衰減 小于 10dB。接下來,在 285MHz 處高頻衰減能力達(dá)到了極值。隨后,隨著頻率的增加,衰減減弱,超過1.1G Hz 之后,幾乎沒有衰減特性了。

▲ 圖1.2.2 多孔磁珠對應(yīng)的衰減

▲ 圖1.2.3 色環(huán)電感(10uH)對應(yīng)的衰減特性

??這是對比了多孔磁珠和色環(huán)電感對于高頻信號的抑制能力。在有些頻段,色環(huán)電感衰減高頻更強。但在另外一些頻段,多孔磁珠抑制高頻信號的能力更大。?在一些特殊頻點以及超過 1G Hz 之后,磁珠抑制高頻信號的能力優(yōu)于電感。

▲ 圖1.2.4 對比磁珠和導(dǎo)桿對于高頻衰減的特性

※ 總??結(jié) ※

本文通過頻譜儀,測試了多孔磁珠以及色環(huán)電感對于高頻信號的抑制能力。從整體上,抑制高頻信號,還是使用多孔磁珠效果更好。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險等級 參考價格 更多信息
30TPS12 1 Vishay Intertechnologies Silicon Controlled Rectifier, 30A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-247AC, TO-247AC, 3 PIN
暫無數(shù)據(jù) 查看
KR-5R5H155-R 1 Cooper Industries CAPACITOR, ELECTRIC DOUBLE LAYER, 5.5V, 1500000uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
$3.52 查看
2-520405-2 1 TE Connectivity ULTRA-FAST 250 ASY REC 22-18 TPBR

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.33 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜

公眾號TsinghuaJoking主筆。清華大學(xué)自動化系教師,研究興趣范圍包括自動控制、智能信息處理、嵌入式電子系統(tǒng)等。全國大學(xué)生智能汽車競賽秘書處主任,技術(shù)組組長,網(wǎng)稱“卓大大”。