輻射騷擾整改思路及方法：輻射超標(biāo)與問題定位 ？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC

輻射騷擾整改思路及方法：輻射超標(biāo)與問題定位？相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！

某產(chǎn)品首次EMC測(cè)試時(shí)，輻射、靜電、浪涌均失敗。本篇文章就“輻射超標(biāo)與問題定位”問題進(jìn)行詳細(xì)討論。

一、輻射超標(biāo)

50MHz 、100MHz 、130MHz 、200MHz，4個(gè)頻點(diǎn)明顯超標(biāo)，其中130MHz 左右最明顯，超出 19dB；后將電路板僅僅保留開關(guān)電源部分，150MHz 附近超標(biāo)嚴(yán)重，下圖為垂直位置的輻射（因?yàn)檎麄€(gè)實(shí)驗(yàn)過程中垂直位置整體結(jié)果較水平要差，因此全文僅針對(duì)垂直位置的輻射結(jié)果進(jìn)行闡述）。

二、問題定位

從頻率上來看，輻射源不可能是射頻模塊以及后級(jí) LDO 電路， 縱覽整個(gè)電路系統(tǒng)各個(gè) 電路功能的工作頻率，只可能是 MCU 的 8MHz 晶振以及前級(jí)開關(guān)電源造成的。

在檢測(cè)機(jī)構(gòu)輻射測(cè)試超標(biāo)后，第一時(shí)間將射頻模塊、MCU 及其外圍（包括晶振） 全部 停止供電，仍然超標(biāo)，至此可以確認(rèn)是開關(guān)電源導(dǎo)致的輻射問題。

回到實(shí)驗(yàn)室， 重點(diǎn)尋找輻射的來源，利用示波器的探頭可以快速掃描板上輻射嚴(yán)重的區(qū) 域，如下圖所示：

圖1 簡(jiǎn)易探測(cè)環(huán)原理

將鱷魚夾夾至探頭探針，便形成了一個(gè)探測(cè)環(huán)， 將探測(cè)環(huán)緩慢地在PCB板上方1~2cm附近移動(dòng)，如 果某處存在高頻干擾，則會(huì)在附近形成變化的磁力線分布，磁力線穿過探測(cè)環(huán)便形成了磁通， 變化的磁通將 會(huì)在環(huán)上形成感應(yīng)電壓。

此時(shí)，將示波器設(shè)置為“余輝”模式，若某處輻射強(qiáng)烈，則會(huì)將波形抬高，利用這 種方法找出波形最高時(shí)對(duì)應(yīng)的探測(cè)位置。當(dāng)然，也可自行繞制一個(gè)多匝空心線圈以提高靈敏度。

上圖出自《High-Speed Digital Design》Measurement Techniques 章節(jié)的第 87 頁(yè)， 該章節(jié)本意是用于說明為什么測(cè)量電源紋波時(shí)不能使用鱷魚夾，而在本案例中， 反其道而行之， 故意讓探頭收集更多的噪聲以更快發(fā)現(xiàn)干擾源。

通過這種簡(jiǎn)單的辦法，很快發(fā)現(xiàn)開關(guān)電源芯片上方的輻射最為強(qiáng)烈，與其緊挨的器件是一顆肖特基二極管，即續(xù)流二極管。由于 MOS 管集成在開關(guān)電源芯片內(nèi)部，無法測(cè)量到 MOS 管的開關(guān)波形，因此可以測(cè)量續(xù)流二極管兩端的電壓波形：

圖2 BUCK續(xù)流二極管位置

圖3 續(xù)流二極管兩端的電壓振鈴 (MOS 導(dǎo)通時(shí))

圖3紅圈內(nèi)的振鈴明顯有“過沖”現(xiàn)象，將這部分波形展開，發(fā)現(xiàn)其振蕩頻率恰好為122MHz，如圖4所示，這與152MHz 超標(biāo)頻點(diǎn)非常接近！進(jìn)一步分析可以知道，這個(gè)振鈴是由于二極管的反向恢復(fù)引起的， 要想消除這個(gè)電壓振鈴，最簡(jiǎn)單的辦法是在D2兩端并聯(lián)RC吸收電路。

圖4 續(xù)流二極管電壓振鈴頻率

綜上所述，相信通過本文的描述，各位對(duì)輻射騷擾整改思路及方法：輻射超標(biāo)與問題定位都有一定了解了吧，有疑問和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說到這，下次給各位講解些別的內(nèi)容，咱們下回見啦！也可以關(guān)注我司wx公眾平臺(tái)：深圳比創(chuàng)達(dá)EMC！

以上就是深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司小編給您們介紹的輻射騷擾整改思路及方法：輻射超標(biāo)與問題定位的內(nèi)容，希望大家看后有所幫助！

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