閃存(NAND Flash)模組可分為:
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固態(tài)硬盤,應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景
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移動(dòng)存儲(chǔ),U 盤、移動(dòng)盤等,應(yīng)用于便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景
??其內(nèi)部組成包括:
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NAND Flash 顆粒,起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與讀寫作用,按照密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,從前至后讀寫速度、存儲(chǔ)穩(wěn)定性、使用壽命依 次遞減,存儲(chǔ)密度、價(jià)格性價(jià)比依次遞增。
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DRAM 顆粒(主要存在于中高端 SSD),可提高輸入/輸出性能和耐用 性,用于臨時(shí)保存從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表。 目前,中低端的新品 SSD為節(jié)省成本選擇不配備 DRAM 顆粒,采用 HMB (Host Memory Buffer,主機(jī)內(nèi)存緩沖技術(shù))技術(shù)和主機(jī)共享內(nèi)存,也可滿足使用要求。
??DRAM 模組
? 主要應(yīng)用于客戶端(個(gè)人電腦等)、服務(wù)器(企業(yè)級(jí))的內(nèi)存條。
??其內(nèi)部主要組成包括:
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DRAM 顆粒,起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫的作用,占據(jù)內(nèi)存條模組成本的絕大部分。
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接口芯片(RCD+DB),其中,RCD 用來緩沖來自內(nèi)存控制器的地址、命令及控制信號(hào),DB 用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號(hào)。其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,以匹配 CPU日益提高的運(yùn)行速度及性能。
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TS(溫度傳感器),對(duì)內(nèi)存條溫度監(jiān)控,從而更精細(xì)地控制系統(tǒng)散熱。
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