一、存儲產(chǎn)業(yè)鏈劃分
- 晶圓:三星、美光、海力士、西數(shù)、鎧俠、長鑫等。
- 主控芯片廠:慧榮、聯(lián)蕓、Marvell、群聯(lián)電子、德明利等,前三家分別占比57.69%、16.67%、15.38%。
- 封裝測試廠:日月光、通富微電等,廠商較多。
- 模組廠:金士頓、威剛、閃迪、創(chuàng)見、江波龍等。
二、存儲器主要生產(chǎn)基地
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- 韓國
- DRAM:三星(華城市、平澤市)海力士(利川)
- NAND Flash:三星(華城市、平澤市)海力士(清州、利川)
- 日本
- DRAM:美光(廣島)
- NAND Flash:鎧俠(四日市、巖手縣)西部數(shù)據(jù)(四日市、巖手縣)
- 美國:美光DRAM和NAND Flash
- 中國
- DRAM:海力士(無錫)長鑫(合肥)
- NAND Flash:?三星(西安)長江存儲(武漢)Soliddigm(大連)
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臺灣地區(qū):DRAM:美光(桃園、臺中)南亞(桃園) - 新加坡:美光NAND Flash
- 韓國
三、半導體存儲器的分類
- 易失性存儲器
- 非易失性存儲器
- 斷電后可以保留存儲信息。
- NOR Flash
(1)主要由中國臺灣的華邦、旺宏以及大陸的GD三家廠商主導,2021年市占率分別為35%、33%、23%。廠商產(chǎn)品各有側(cè)重,比如華邦和旺宏更側(cè)重于工業(yè)控制領(lǐng)域,Cypress則布局工業(yè)、航天和車用市場。
(2)細分市場:通訊、消費電子、車載電子、電腦和工業(yè)控制,占比分別為 30%、26%、18%、14%和 12%。
- NAND Flash
(1)按照顆粒密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,從前至后讀寫速度、存儲穩(wěn)定性、使用壽命依次遞減,存儲密度、價格性價比依次遞增。全球出貨占比分別為為0.19%、10.17%、80.34%、9.30%。 (2)大容量 NAND Flash主要由海外五大巨頭占領(lǐng),2023 年第一季度三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光的份額占比分別為 34%、22%、15%、15%、10%,SLC NAND 主要是中國臺灣和大陸廠商,包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新。 (3)細分市場:eMMC(手機)、eSSD(服務器)、cSSD(PC)、存儲卡/UFD等,占比分別為34%、26%、22%、9%。 - PROM分為EPROM和EEPROM
四、存儲器性能和應用范圍對比
- NAND Flash:存儲陣列由存儲單元通過串聯(lián)方式連接而成,擦除以“頁”為單位,具有存儲容量大、寫入/擦除速度快等特點,廣泛應用于固態(tài)硬盤(SSD)、手機、平板、服務器、USB 驅(qū)動器和存儲卡等。
- NOR Flash:存儲陣列通過各存儲單元通過并聯(lián)方式連接,在按位快速隨機讀取數(shù)據(jù)的同時,允許系統(tǒng)直接從存儲單元中讀取代碼執(zhí)行,具有芯片內(nèi)執(zhí)行、讀取速度快的特點,應用于可穿戴設備、移動終端等。
- DRAM:讀寫速度快,常用于系統(tǒng)硬件的運行內(nèi)存,對系統(tǒng)指令和數(shù)據(jù)進行處理。
簡易對比如圖:
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