半導體存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈劃分、主要生產(chǎn)基地、分類、性能及應用范圍對比

一、存儲產(chǎn)業(yè)鏈劃分

• 晶圓：三星、美光、海力士、西數(shù)、鎧俠、長鑫等。
• 主控芯片廠：慧榮、聯(lián)蕓、Marvell、群聯(lián)電子、德明利等，前三家分別占比57.69%、16.67%、15.38%。
• 封裝測試廠：日月光、通富微電等，廠商較多。
• 模組廠：金士頓、威剛、閃迪、創(chuàng)見、江波龍等。
  

二、存儲器主要生產(chǎn)基地

• • 韓國
    • DRAM：三星(華城市、平澤市)海力士(利川)
    • NAND Flash：三星(華城市、平澤市)海力士(清州、利川)
  • 日本
    • DRAM：美光（廣島）
    • NAND Flash：鎧俠(四日市、巖手縣)西部數(shù)據(jù)(四日市、巖手縣)
  • 美國：美光DRAM和NAND Flash
  • 中國
    • DRAM：海力士(無錫)長鑫(合肥）
    • NAND Flash：?三星(西安)長江存儲(武漢)Soliddigm(大連）
  • 臺灣地區(qū)：DRAM：美光(桃園、臺中)南亞(桃園）
  • 新加坡：美光NAND Flash

三、半導體存儲器的分類

• 易失性存儲器
  • 斷電后無法保留存儲信息
  • SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，不需要定期刷新。
  • DRAM：動態(tài)隨機存儲器，需要在數(shù)據(jù)改變或斷電前進行周期性充電，保持電勢，否則會丟失數(shù)據(jù)。細分市場：智能手機、服務器和 PC，占比分別為 35%、33%和 16%。
• 非易失性存儲器
  • 斷電后可以保留存儲信息。
  • NOR Flash

    （1）主要由中國臺灣的華邦、旺宏以及大陸的GD三家廠商主導，2021年市占率分別為35%、33%、23%。廠商產(chǎn)品各有側(cè)重，比如華邦和旺宏更側(cè)重于工業(yè)控制領(lǐng)域，Cypress則布局工業(yè)、航天和車用市場。

    （2）細分市場：通訊、消費電子、車載電子、電腦和工業(yè)控制，占比分別為 30%、26%、18%、14%和 12%。

  • NAND Flash
    
    （1）按照顆粒密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，從前至后讀寫速度、存儲穩(wěn)定性、使用壽命依次遞減，存儲密度、價格性價比依次遞增。全球出貨占比分別為為0.19%、10.17%、80.34%、9.30%。
    （2）大容量 NAND Flash主要由海外五大巨頭占領(lǐng)，2023 年第一季度三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光的份額占比分別為 34%、22%、15%、15%、10%，SLC NAND 主要是中國臺灣和大陸廠商，包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新。
    （3）細分市場：eMMC（手機）、eSSD（服務器）、cSSD（PC）、存儲卡/UFD等，占比分別為34%、26%、22%、9%。
  • PROM分為EPROM和EEPROM

四、存儲器性能和應用范圍對比

• NAND Flash：存儲陣列由存儲單元通過串聯(lián)方式連接而成，擦除以“頁”為單位，具有存儲容量大、寫入/擦除速度快等特點，廣泛應用于固態(tài)硬盤（SSD）、手機、平板、服務器、USB 驅(qū)動器和存儲卡等。
• NOR Flash：存儲陣列通過各存儲單元通過并聯(lián)方式連接，在按位快速隨機讀取數(shù)據(jù)的同時，允許系統(tǒng)直接從存儲單元中讀取代碼執(zhí)行，具有芯片內(nèi)執(zhí)行、讀取速度快的特點，應用于可穿戴設備、移動終端等。
• DRAM：讀寫速度快，常用于系統(tǒng)硬件的運行內(nèi)存，對系統(tǒng)指令和數(shù)據(jù)進行處理。

  簡易對比如圖：