總投資5億元！揚杰科技SiC模塊封裝項目簽約

近日，在江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經濟開發(fā)區(qū)先進制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱揚杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項目完成簽約。

該項目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。

作為國內少數(shù)集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚杰科技近年來持續(xù)深耕功率半導體領域，推動公司總營收從2014年的5.3億元增長到2022年的54億元，凈利潤從1億元增長到10多億元。

據揚杰科技黨委書記、副董事長梁瑤介紹，公司每年投入的研發(fā)費用占總營收的比例超過5%，在IGBT等新產品領域的研發(fā)費用占比超過了15%甚至20%。據稱，揚杰科技目前在全球功率分立器件企業(yè)中排名第12位。其中，功率二極管市占率位居中國第一，全球第二；整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年，揚杰科技將有三大投入：一是IGBT項目上馬；二是車用模塊項目投入；三是越南工廠建設。其中，越南工廠建成投產后可以助力公司品牌進軍歐美市場。在第三代半導體領域，揚杰科技已有多年的技術、產品及產能儲備。

早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產業(yè)化建設項目。

產品方面，2022年上半年，揚杰科技開發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產品，并獲得國內Top 10光伏逆變器客戶的認可，完成了批量出貨。MOSFET產品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產品也已獲得客戶認可，并實現(xiàn)量產。

產能方面，2023年4月，揚杰科技與江蘇省揚州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產線項目，總投資約10億元。該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產后，將形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。

此外，2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協(xié)議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”?；诖搜邪l(fā)中心，雙方將在功率半導體領域（尤其是寬禁帶功率器件領域）進行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展，加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產業(yè)化。

隨著此次SiC模塊封裝項目簽約落地，揚杰科技有望進一步深化第三代半導體產業(yè)鏈布局。

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