Qorvo? 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模塊

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。

Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機(jī)械設(shè)計和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開關(guān)頻率運(yùn)行，通過使用更小的外部元件進(jìn)一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡化電源設(shè)計流程，讓我們的客戶能夠?qū)Ｗ⒆龊脝我荒K的設(shè)計、布局、組裝、特性分析和認(rèn)證，無需應(yīng)對多個分立式元件?！?/p>

以 9.4mΩ 導(dǎo)通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢在軟開關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至 0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場同類 SiC 電源模塊高出 2 倍。得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模塊系列：

Qorvo 功能強(qiáng)大的設(shè)計工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE? 軟件）有助于產(chǎn)品選擇和性能仿真。

Qorvo SiC 模塊系列已在美國加利福尼亞州長灘會議中心舉行的國際電力電子應(yīng)用展覽會（APEC）上進(jìn)行了首次亮相。