6吋！3家企業(yè)公布GaN單晶技術新進展

近期，國內(nèi)外多家GaN單位在氮化鎵單晶擴徑上取得突破：

●?豐田合成、大阪大學等：已成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底，并開發(fā)了8吋長晶設備。

●?鎵數(shù)：已順利生產(chǎn)4吋氮化鎵單晶襯底，正在攻克6吋及更大尺寸的單晶生長。

●?住友化學：4英寸GaN襯底已量產(chǎn)，6吋襯底正在開發(fā)中。

豐田合成、大阪大學等成功制備6吋GaN襯底

3月8日，據(jù)日媒報道，大阪大學、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發(fā)項目取得了新進展，已成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底。

據(jù)介紹，豐田合成借助了大阪大學新開發(fā)的技術成功制備缺陷密度為104/ cm2的6英寸GaN襯底，該技術結合了Na助焊劑法和多點晶種法，兼具高質(zhì)量及易擴徑的優(yōu)點。此外，以該技術為基礎，他們已開發(fā)了兼容8英寸或更大尺寸的晶體生長設備，用于未來進一步開發(fā)大尺寸襯底。

但是，在使用該技術制備GaN襯底時，一個晶體生長大約需要一個月的時間，并不適用于大規(guī)模生產(chǎn)。因此豐田合成等正在建立一種高產(chǎn)的大規(guī)模生產(chǎn)技術，將結合其他晶體生長技術提升生產(chǎn)力。

鎵數(shù)：已制備4吋GaN襯底

3月6日，據(jù)阜陽師范大學科研處消息，?？蒲刑幱?月1日到訪鎵數(shù)氮化物產(chǎn)業(yè)研究院，就“4英寸氮化鎵單晶襯底制備關鍵技術”項目展開調(diào)研。

據(jù)悉，該GaN項目為阜陽市校合作產(chǎn)業(yè)技術研究院項目，目前鎵數(shù)中試線能夠順利生產(chǎn)4英寸氮化鎵單晶襯底，6英寸和更大尺寸的氮化鎵單晶尚在技術攻堅過程中。

據(jù)“行家說三代半”了解，鎵數(shù)早在2022年就掌握了2英寸GaN單晶襯底量產(chǎn)技術——

2022年6月，鎵數(shù)公示了其氮化鎵單晶襯底項目的環(huán)評表。據(jù)悉，該項目將分3期建設，一期建設10條氮化鎵單晶襯底生產(chǎn)線，二期建設20條氮化鎵單晶襯底生產(chǎn)線，三期建設30條氮化鎵單晶襯底生產(chǎn)線，三期完全達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)18萬片2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)能力。

住友化學：4吋GaN襯底實現(xiàn)量產(chǎn)

今年1月，據(jù)日媒報道，住友化學已經(jīng)成功建立 4 英寸氮化鎵襯底的量產(chǎn)技術，將從2024 年開始與客戶協(xié)調(diào)量產(chǎn)事宜，還將提供GaN on GaN垂直型外延產(chǎn)品。

此外，住友還宣布將在2024年后開始提供6英寸GaN樣品，旨在將2026財年的量產(chǎn)目標日期提前，積極提高產(chǎn)量。

2月26日，住友化學在2024 APEC展會上展出了4英寸氮化鎵襯底和高純度GaN-on-GaN外延片；并透露了6吋襯底的開發(fā)進程——通過改進2英寸氮化鎵襯底的晶體生長和加工技術，滿足功率半導體加工的晶圓尺寸要求，目前正在致力于降低缺陷提高晶體質(zhì)量。

據(jù)介紹，住友化學的氮化鎵業(yè)務將在茨城工廠展開，該工廠于2003 年從日立金屬方收購而來，住友將通過全資子公司Scioks全力加快GaN研發(fā)進程。