深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布達成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB場外交易代碼:ODII)的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成,屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。
此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS?-5功率因數(shù)校正IC以及最近推出的InnoMux?-2系列單級多路輸出IC。該公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技術(shù)和產(chǎn)品。
Power Integrations技術(shù)副總裁Radu Barsan博士表示:“自2018年開始出貨采用PowiGaN技術(shù)的產(chǎn)品以來,Power Integrations一直走在氮化鎵開發(fā)和商業(yè)化的前沿。我們正在實施一項宏偉的產(chǎn)品研發(fā)路線,即實現(xiàn)與硅MOSFET成本持平的耐壓及功率能力均得到提高的PowiGaN產(chǎn)品。我們的目標是利用氮化鎵相對于碳化硅根本上的材料優(yōu)勢,以更低的成本和更高的性能將高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)商業(yè)化,以支持目前由碳化硅(SiC)所涵蓋的更高功率的應用。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經(jīng)驗將增強并推進這些工作的進展,我們很高興他們能加入我們的團隊?!?/p>
Odyssey聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Richard Brown博士補充道:“我和Odyssey團隊都很高興能加入Power Integrations,共同加速他們的氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)過程。作為首家實現(xiàn)高壓氮化鎵商業(yè)化的公司,Power Integrations將在成本、電壓電流以及在充分利用氮化鎵能力的系統(tǒng)級產(chǎn)品設計方面,繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)并推動技術(shù)向前發(fā)展?!?/p>