Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies（OTCQB場(chǎng)外交易代碼：ODII）的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。

此次收購(gòu)將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS?-5功率因數(shù)校正IC以及最近推出的InnoMux?-2系列單級(jí)多路輸出IC。該公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技術(shù)和產(chǎn)品。

Power Integrations技術(shù)副總裁Radu Barsan博士表示：“自2018年開始出貨采用PowiGaN技術(shù)的產(chǎn)品以來(lái)，Power Integrations一直走在氮化鎵開發(fā)和商業(yè)化的前沿。我們正在實(shí)施一項(xiàng)宏偉的產(chǎn)品研發(fā)路線，即實(shí)現(xiàn)與硅MOSFET成本持平的耐壓及功率能力均得到提高的PowiGaN產(chǎn)品。我們的目標(biāo)是利用氮化鎵相對(duì)于碳化硅根本上的材料優(yōu)勢(shì)，以更低的成本和更高的性能將高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)商業(yè)化，以支持目前由碳化硅(SiC)所涵蓋的更高功率的應(yīng)用。Odyssey團(tuán)隊(duì)在高電流垂直氮化鎵方面的經(jīng)驗(yàn)將增強(qiáng)并推進(jìn)這些工作的進(jìn)展，我們很高興他們能加入我們的團(tuán)隊(duì)。”

Odyssey聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Richard Brown博士補(bǔ)充道：“我和Odyssey團(tuán)隊(duì)都很高興能加入Power Integrations，共同加速他們的氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程。作為首家實(shí)現(xiàn)高壓氮化鎵商業(yè)化的公司，Power Integrations將在成本、電壓電流以及在充分利用氮化鎵能力的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面，繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)并推動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展?！?/p>