1、MEMS的原理
MEMS技術(shù)基于微型化的傳感器和執(zhí)行器,通過(guò)精密的機(jī)械結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)對(duì)物理信號(hào)的感知和控制。這些設(shè)備能夠檢測(cè)從壓力、溫度到加速度等各種物理參數(shù),然后將這些信息轉(zhuǎn)換成電信號(hào)進(jìn)行處理。MEMS設(shè)備的核心在于它們能夠在非常小的尺寸上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能,通常尺寸僅為幾微米到幾毫米。
2、MEMS的分類
MEMS技術(shù)可以分為幾個(gè)主要類別:
傳感器:用于檢測(cè)環(huán)境變量(如加速度計(jì)、壓力傳感器、溫度傳感器)。
執(zhí)行器:用于物理地作用于其環(huán)境(如微泵、微閥、微型機(jī)器人)。
微系統(tǒng):集成傳感器、執(zhí)行器與電子元件的系統(tǒng)。
3、常見的MEMS制作工藝
MEMS的制造過(guò)程包括多種精密的微加工技術(shù),主要包括:
深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)
深反應(yīng)離子刻蝕(Deep
Reactive Ion Etching, DRIE)是一種高精度的干法刻蝕技術(shù),特別適用于制造具有高縱橫比的微結(jié)構(gòu)。DRIE通過(guò)使用等離子體產(chǎn)生的高能離子轟擊硅片表面,刻蝕出所需的微結(jié)構(gòu)。這種方法可以實(shí)現(xiàn)非常垂直和平滑的側(cè)壁,是制造微流體設(shè)備和三維微結(jié)構(gòu)的理想選擇。
在實(shí)際操作中,DRIE需要精確的過(guò)程控制來(lái)達(dá)到所需的刻蝕深度和側(cè)壁質(zhì)量。工程師必須考慮諸如氣體流率、功率、壓力和刻蝕時(shí)間等多種參數(shù),以優(yōu)化刻蝕過(guò)程。
光刻(Lithography)
光刻技術(shù)是MEMS制造中的核心工藝之一,用于在硅片或其他基底上形成微細(xì)圖案。這一過(guò)程涉及將一層光敏材料(光刻膠)涂覆在基底上,然后通過(guò)遮罩板暴露于特定波長(zhǎng)的光下。未被光照到的部分將保持不變,而被光照到的部分在后續(xù)的顯影過(guò)程中會(huì)被溶解,從而形成所需的圖案。
光刻的精度直接影響到MEMS設(shè)備的性能,因此選擇合適的光源(如紫外光、電子束或X射線)和光刻膠是非常關(guān)鍵的。此外,溫度和濕度的嚴(yán)格控制也是確保圖案精度的重要因素。
鍵合(Bonding)
鍵合技術(shù)用于將不同的材料層或器件層連接起來(lái),是創(chuàng)建多層MEMS結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟。常見的鍵合技術(shù)包括硅對(duì)硅鍵合、玻璃對(duì)硅鍵合和金屬鍵合等。這些技術(shù)可以通過(guò)熱壓、電子束或紫外線等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
硅對(duì)硅鍵合通常利用硅片之間的自然氧化層來(lái)形成堅(jiān)固的化學(xué)鍵。這種方法適用于需要高結(jié)構(gòu)完整性的應(yīng)用,如壓力傳感器和微流體芯片。
薄膜沉積(Thin Film
Deposition)
在MEMS制造中,薄膜沉積技術(shù)用于在基底上創(chuàng)建絕緣層、導(dǎo)電層或機(jī)械層。常用的沉積方法包括物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)。每種技術(shù)都有其特定的應(yīng)用領(lǐng)域,例如PVD適用于創(chuàng)建均勻而致密的金屬膜,而CVD則適合生產(chǎn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體膜。
濕法蝕刻(Wet Etching)
濕法蝕刻是一種使用化學(xué)溶液來(lái)移除材料層的方法。這種技術(shù)通常用于清除不需要的材料或進(jìn)行圖案化處理。與干法蝕刻相比,濕法蝕刻成本較低,過(guò)程簡(jiǎn)單,但其控制精度和側(cè)壁垂直性較差。
在實(shí)際操作中,選擇合適的蝕刻溶液和控制蝕刻時(shí)間是非常重要的,以確保達(dá)到所需的蝕刻深度和圖案精度。
4、仿真工具
為了設(shè)計(jì)和優(yōu)化MEMS器件,工程師常使用多種仿真工具,包括:
Comsol
Multiphysics:一種強(qiáng)大的多物理場(chǎng)仿真軟件,能夠模擬電氣、機(jī)械、流體和化學(xué)過(guò)程。
L-edit:一種版圖設(shè)計(jì)軟件,用于MEMS和IC設(shè)計(jì)。
JMP:一種統(tǒng)計(jì)軟件,適用于實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)分析。
5、實(shí)操性建議
設(shè)計(jì)前的仿真分析:充分利用仿真工具進(jìn)行設(shè)計(jì)前的驗(yàn)證,可以顯著減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)和成本。
工藝選擇:根據(jù)設(shè)計(jì)需求選擇合適的制作工藝,例如,對(duì)于需要高縱橫比的微結(jié)構(gòu),選擇DRIE技術(shù)。
測(cè)試與評(píng)估:開發(fā)過(guò)程中,通過(guò)使用各種分析工具如膜厚儀、臺(tái)階儀等進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和質(zhì)量控制。
MEMS技術(shù)是一個(gè)高度綜合性和技術(shù)性的領(lǐng)域,涉及微型化設(shè)計(jì)、精密制造和細(xì)致的測(cè)試。
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