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5月23日，臺(tái)積電晶圓18B廠資深廠長(zhǎng)黃遠(yuǎn)國(guó)在2024技術(shù)論壇上表示，由于3納米的產(chǎn)能擴(kuò)充仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，臺(tái)積電計(jì)劃今年在全球范圍內(nèi)建設(shè)7座工廠。
據(jù)悉，臺(tái)積電3納米先進(jìn)制程于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，其良率和同時(shí)期的N4制程一樣，且現(xiàn)階段產(chǎn)能也繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)中，但這依然無(wú)法滿足客戶需求。
市場(chǎng)需求強(qiáng)勁?臺(tái)積電7座工廠在路上
黃遠(yuǎn)國(guó)表示，因應(yīng)高效能運(yùn)算（HPC）及智能手機(jī)強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電今年持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，將興建7座工廠，預(yù)計(jì)今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。
作為全球最大的晶圓代工廠商，臺(tái)積電似乎從不吝嗇在建廠擴(kuò)廠方面的投資。2017年-2019年，其建廠頻率為每年2座。而近年來(lái)，臺(tái)積電持續(xù)進(jìn)行全球布局，建廠動(dòng)作也愈發(fā)頻繁，2020年-2023年，臺(tái)積電建廠數(shù)量分別為6座、7座、3座、4座。
而據(jù)黃遠(yuǎn)國(guó)介紹，臺(tái)積電計(jì)劃在今年興建7座工廠，包括5座晶圓廠及2座先進(jìn)封裝廠。
晶圓廠方面，位于中國(guó)臺(tái)灣新竹（Fab20）和高雄(Fab22）的2座2納米工廠將在明年陸續(xù)量產(chǎn)；美國(guó)亞利桑那州預(yù)計(jì)興建3座工廠，第1座工廠預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)、第2座2028年量產(chǎn)、而第三座晶圓廠也已在規(guī)劃中，計(jì)劃使用2納米或更先進(jìn)的工藝生產(chǎn)芯片，預(yù)計(jì)2028年開(kāi)始生產(chǎn)；另外，臺(tái)積電還在日本熊本建設(shè)兩座晶圓廠，其中一廠將在今年年底量產(chǎn)，二廠預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)。
至于兩座先進(jìn)封裝廠，則分別位于中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)中（AP5）和嘉義（AP7），前者預(yù)計(jì)明年提供CoWoS封裝，后者則在2026年量產(chǎn)CoWoS及SoIC。
值得一提的是，除臺(tái)積電外，目前，包括力積電、英特爾、三星、聯(lián)電、格芯、瑞薩電子、Rapidus、東芝等在內(nèi)的國(guó)際大廠亦各自宣布了投資擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。而近日，聯(lián)電位于新加坡的擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)以及東芝位于日本石川縣的功率半導(dǎo)體廠建設(shè)也迎來(lái)了新的進(jìn)展。
新加坡擴(kuò)建計(jì)劃刷新進(jìn)度，聯(lián)電12英寸廠首批幾臺(tái)設(shè)備到廠
5月21日，晶圓代工大廠聯(lián)電宣布，新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠上機(jī)典禮，首批機(jī)臺(tái)設(shè)備到廠。
聯(lián)電在新加坡投入12英寸晶圓廠的運(yùn)營(yíng)已超過(guò)20年。2022年2月，聯(lián)電宣布將在新加坡Fab12i廠區(qū)擴(kuò)建一座新先進(jìn)晶圓廠的計(jì)劃。新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓。
聯(lián)電當(dāng)時(shí)指出，新加坡Fab12i P3將是新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，總投資金額為50億美元，提供22/28nm制程。根據(jù)最初規(guī)劃，該廠預(yù)計(jì)2024年底開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò)，聯(lián)電最新預(yù)計(jì)，該廠配合客戶訂單調(diào)整，量產(chǎn)時(shí)間將延后半年至2026年初。
據(jù)聯(lián)電此前介紹，其新廠所擴(kuò)增的產(chǎn)能已簽訂了長(zhǎng)期的供貨合約，以確保2024年后對(duì)客戶產(chǎn)能的供應(yīng)。
瞄準(zhǔn)功率半導(dǎo)體?東芝12英寸晶圓廠竣工
5月23日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社發(fā)布公告稱(chēng)，其新的300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠竣工。
該工廠建設(shè)的完成是東芝多年投資計(jì)劃第一階段的一個(gè)重要里程碑。目前東芝將進(jìn)行設(shè)備安裝，爭(zhēng)取在2024財(cái)年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。一旦一期工程全面投產(chǎn)，東芝功率半導(dǎo)體（主要是MOSFET和IGBT）的產(chǎn)能將是2021財(cái)年制定投資計(jì)劃時(shí)的2.5倍。
東芝表示，人工智能（AI）的使用將提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。預(yù)計(jì)將從日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省獲得一筆資金，用于補(bǔ)貼其對(duì)部分生產(chǎn)設(shè)備的投資。
2022年初，東芝宣布將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地（加賀東芝電子公司）打造一座新的12英寸晶圓制造設(shè)施，以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，總投資1000億日元，預(yù)計(jì)2025年3月投產(chǎn)。
東芝稱(chēng)，該12英寸晶圓廠（100%使用再生能源）建造將分兩個(gè)階段進(jìn)行，以便根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)優(yōu)化投資步伐，第一階段生產(chǎn)計(jì)劃將于2024會(huì)計(jì)年度內(nèi)啟動(dòng)。一旦第一階段產(chǎn)能滿載，旗下功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將達(dá)到2021年度的2.5倍。
當(dāng)前，消費(fèi)電子市場(chǎng)逐漸回溫，加上5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等發(fā)展迅速，尤其是在AI人工智能浪潮趨勢(shì)下，市場(chǎng)需求同步擴(kuò)大，引發(fā)了半導(dǎo)體領(lǐng)域新一波的投資熱潮。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，僅中國(guó)大陸而言，目前建成運(yùn)營(yíng)的晶圓廠便超40座，而未來(lái)還將新增逾30座。
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