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大族激光助力8吋SiC破局!已用于量產(chǎn)

05/31 08:26
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隨著SiC襯底向8英寸大尺寸方向發(fā)展,傳統(tǒng)的線切割方式的短板會(huì)越來(lái)越顯著,面臨著高損耗、加工時(shí)間長(zhǎng)等缺點(diǎn),不利于SiC襯底的快速交付和降本。因此,創(chuàng)新性的碳化硅晶錠加工方法——激光剝離備受看好,該方法通過(guò)激光在晶錠內(nèi)部形成改質(zhì)層,實(shí)現(xiàn)晶圓的剝離,有效降低材料損耗率至60%以上,提高加工效率,并增加出片數(shù)量,有望顯著降低碳化硅襯底成本,促進(jìn)SiC襯底的快速交付。

最新消息,國(guó)產(chǎn)激光剝離技術(shù)先行者——大族半導(dǎo)體已正式確認(rèn)出席6月14日在上海舉辦的“汽車&光儲(chǔ)充與SiC技術(shù)大會(huì)”,屆時(shí),大族半導(dǎo)體產(chǎn)品線總經(jīng)理巫禮杰將出席,并帶來(lái)《激光切片技術(shù)助力8inch SiC襯底降本增效》的主題報(bào)告。

大族半導(dǎo)體認(rèn)為,傳統(tǒng)主流的線切割技術(shù)仍存在材料耗損大、加工效率低、出片率低等技術(shù)痛點(diǎn),特別是面對(duì)大尺寸8英寸SiC襯底切片以及薄片切片,傳統(tǒng)切片技術(shù)已無(wú)法勝任;而新型激光切片技術(shù),具有材料耗損小、出片率高、效率高等巨大優(yōu)勢(shì)。

目前,大族半導(dǎo)體QCB激光切片技術(shù)已成功應(yīng)用于8英寸SiC襯底量產(chǎn),同時(shí),形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代激光切片關(guān)鍵技術(shù)及裝備,助力8英寸SiC襯底降本增效

早在2022年5月,大族半導(dǎo)體首次發(fā)布了激光切片(QCB技術(shù))。據(jù)悉,該技術(shù)最高可提升270%的產(chǎn)能,并同期發(fā)布了SiC晶錠激光切片機(jī)、SiC超薄晶圓激光切片機(jī)兩款全新設(shè)備,并在客戶處做量產(chǎn)驗(yàn)證。

近年來(lái),大族半導(dǎo)體也在持續(xù)推進(jìn)與行業(yè)龍頭客戶的合作,為規(guī)?;a(chǎn)SiC激光切片設(shè)備做準(zhǔn)備,并不斷推出SiC激光退火設(shè)備等新產(chǎn)品,致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。

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BT136S-600E 1 NXP Semiconductors 600V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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LQG15HS47NJ02D 1 Murata Manufacturing Co Ltd General Purpose Inductor, 0.047uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD, 0402, CHIP, 0402

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