總投資超50億！該8吋SiC產(chǎn)線將提前投產(chǎn)

5月31日，意法半導體宣布將投資近400億新建8吋SiC工廠（.點這里.）；幾乎同時，三菱電機也公布了旗下8吋SiC工廠的相關(guān)動態(tài)，宣布將提前投產(chǎn)。

三菱電機：8吋SiC工廠明年投產(chǎn)

5 月 29 日，三菱電機舉辦了 IR Day 2024，公布了旗下8吋SiC相關(guān)進展及戰(zhàn)略目標等——

據(jù)悉，三菱電機位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠的竣工時間將定為2025年9月，投產(chǎn)時間將從2026年4月提前至2025年11月；該新工廠共有六層，總建筑面積約4.2萬平方米，將主要負責8英寸 SiC 晶圓的前端工藝。

在產(chǎn)能與銷售目標方面，三菱電機目標是到2030財年將功率半導體業(yè)務中的SiC銷售比例提高到30%以上（新工廠的SiC產(chǎn)品將通過與Nexperia的聯(lián)盟擴大銷售渠道）；三菱電機還將在全工序段引入自動輸送系統(tǒng)，打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線，目標在2026財年將SiC產(chǎn)能提升5倍（與2022財年相比）。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，2023年3月中旬，三菱電機宣布計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（約51億元人民幣）建設(shè)一個8英寸SiC工廠，并加強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施；2024年4月，該工廠正式開工建設(shè)。

值得一提的是，該工廠已經(jīng)“綁定”了Coherent（前 II-VI ）的碳化硅襯底產(chǎn)能——2023年5月，三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4H SiC襯底，雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

上海碳化硅大會：聚焦8吋SiC最新技術(shù)

看起來，8英寸SiC的建設(shè)和發(fā)展比預期更快，為了更好地推動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，6月14日，行家說將在上海召開“碳化硅大會”。

英飛凌、芯聯(lián)集成、三安、天岳、合盛、南砂晶圓、普興、?？?、科友半導體、大族半導體、晶微亦微等眾多企業(yè)已確認出席，并將圍繞8英寸碳化硅量產(chǎn)技術(shù)等主題，發(fā)布最新的技術(shù)報告和展示最新產(chǎn)品方案，報名參會掃描下方二維碼：

上述碳化硅企業(yè)的8英寸進展如下：

?英飛凌：馬來西亞8英寸碳化硅晶圓廠一期工程將于2024年第三季度完工，計劃下半年開始生產(chǎn)SiC器件；

?芯聯(lián)集成：今年4月8英寸碳化硅晶圓工程批已經(jīng)順利下線；

?三安半導體：湖南項目二期計劃今年三季度投產(chǎn)，將全部導入國際領(lǐng)先的8吋生產(chǎn)設(shè)備和工藝；

?天岳先進：8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)批量化銷售；

?合盛硅業(yè)：計劃今年二季度末實現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn)；

?科友半導體：突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上；

?南砂晶圓：正在布局8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目，而且實現(xiàn)了8吋SiC技術(shù)新突破，電阻率不均勻性已接近6英寸襯底；

?普興電子：解決了8寸襯底應力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。

?希科半導體：實現(xiàn)了國產(chǎn)8英寸SiC襯底上同質(zhì)外延生長，正式具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。

會議臨近，請大家抓緊時間報名，“上海碳化硅大會”期待大家的參與。