加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

數(shù)字EDA賦能RISC-V落地演進技術研討會成功舉辦

06/20 07:20
2256
閱讀需 5 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

為了推動RISC-V技術的落地與演進,國家集成電路設計深圳產(chǎn)業(yè)化基地攜手思爾芯,于2024年6月18日下午成功舉辦了“數(shù)字EDA賦能RISC-V落地演進技術研討會”。

研討會由思爾芯產(chǎn)品經(jīng)理梁琪主講,主題為《數(shù)字異構驗證方案應對數(shù)字電路設計的新挑戰(zhàn)》。梁琪介紹了當前數(shù)字芯片設計中的挑戰(zhàn),特別是RISC-V架構的碎片化特征。她指出,這種特征不僅增加了設計的復雜性,也使得驗證變得更加困難。如何在確保定制化的RISC-V核心滿足設計規(guī)范、性能要求,以及處理器性能、功耗和安全性方面的嚴格驗證的同時,又要幫助芯片廠商快速響應市場變化,縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,并及時推出新一代產(chǎn)品,是當前面臨的主要挑戰(zhàn)。

為應對這些挑戰(zhàn),思爾芯提出了異構驗證方法。這種方法旨在解決芯片開發(fā)過程中每個階段不同的設計和驗證需求,確保設計的準確性。梁琪強調(diào),芯片開發(fā)需要充分的仿真和驗證,以避免流片失敗導致的高額成本損失和市場機會的錯失。通過異構驗證,思爾芯整合了多種EDA工具,包括架構設計(Genesis芯神匠)、軟件仿真(PegaSim芯神馳)、硬件仿真(OmniArk芯神鼎)、原型驗證(Prodigy芯神瞳)和數(shù)字調(diào)試(Clarity芯神覺),并支持全面上云。這種方法不僅促進了跨團隊的高效協(xié)作,還確保每個環(huán)節(jié)的設計都能達到預定的準確性,從而在短時間內(nèi)高效實現(xiàn)“確保芯片設計正確”的目標。

在接下來的環(huán)節(jié)中,梁琪又詳細闡述了原型驗證如何助力RISC-V開發(fā),并通過“香山”Demo進行演示。梁琪解釋了選擇“香山”進行演示的原因:“‘香山’項目不僅是RISC-V架構芯片設計的前沿,也是我們在該領域技術創(chuàng)新的代表。通過這個案例,我們展示了原型驗證如何在實際項目中提升開發(fā)效率和可靠性?!?/p>

她進一步詳細介紹了原型驗證在芯片設計過程中的核心作用,特別是對于基于RISC-V架構的設計,原型驗證不僅能夠顯著降低開發(fā)風險并加速產(chǎn)品上市,還提供了一個可以在真實硬件上測試軟件功能和性能的平臺,使“香山”的軟硬件工程師能夠并行工作,顯著加速進程。

在最后的問答環(huán)節(jié)中,與會者踴躍提問,梁琪耐心解答了關于數(shù)字EDA和RISC-V的各種疑問,現(xiàn)場氣氛熱烈。一位來自芯片設計公司的工程師表示:“梁經(jīng)理的講解非常詳細,讓我們對數(shù)字EDA和RISC-V有了更深刻的理解。特別是異構驗證方法和原型驗證的實際應用案例,對我們的日常工作非常有幫助。”

本次研討會不僅為與會者提供了深入了解數(shù)字EDA與RISC-V技術的機會,還為業(yè)界同仁搭建了一個交流與合作的平臺。通過此次活動,進一步推動了RISC-V技術在實際應用中的落地與發(fā)展,為相關領域的創(chuàng)新和進步注入了新的動力。

思爾芯是國內(nèi)首家數(shù)字EDA供應商,已提供完善的數(shù)字前端EDA全流程,也是業(yè)內(nèi)最早開發(fā)原型驗證工具的企業(yè),客戶數(shù)量已超過600家。國家集成電路設計深圳產(chǎn)業(yè)化基地和思爾芯的此次合作,代表了雙方在技術創(chuàng)新和市場應用方面的緊密結合。他們也表示,未來將繼續(xù)致力于推動RISC-V技術的發(fā)展,組織更多類似的活動,促進技術交流與合作,共同迎接技術創(chuàng)新的美好未來。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
SZMMBZ5V6ALT1G 1 onsemi Dual Common Anode Zener?Diode?Protection, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.33 查看
BSC028N06NSATMA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8
$2.71 查看
CRCW060333R0FKEA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 33ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.12 查看

相關推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜