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作者：米樂
近日，韓國(guó)起訴美光，令人大跌眼鏡。對(duì)于美國(guó)企業(yè)，韓國(guó)向來是合作、和平大于爭(zhēng)斗的。
韓國(guó)專利管理公司Mimir IP對(duì)美國(guó)美光科技提起專利侵權(quán)訴訟，這是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的重大事件。這是韓國(guó)非專利實(shí)施實(shí)體（NPE）起訴美國(guó)半導(dǎo)體公司的第一起案件，該訴訟于 6 月 3 日提起，還針對(duì)使用美光產(chǎn)品的公司，包括特斯拉、戴爾、惠普和聯(lián)想。該案已提交美國(guó)德克薩斯州東區(qū)地方法院和美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì) (ITC)。
眾所周知，SK海力士和美光是內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。韓國(guó)正式起訴美光，是否意味著半導(dǎo)體霸權(quán)之戰(zhàn)正從技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)擴(kuò)大到專利戰(zhàn)。Mimir IP 起訴美光的現(xiàn)狀及其對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛影響仍有待觀察。
?01指誰打誰的“大小姐”
美光最近一次引起軒然大波是在中國(guó)，然而在7年前美光和中國(guó)的“緣分”已經(jīng)開始了。
美光戰(zhàn)福建晉華
2016年5月，聯(lián)電宣布接受晉華委托開發(fā)DRAM制程技術(shù)，聯(lián)電強(qiáng)電僅負(fù)責(zé)技術(shù)開發(fā)，并未進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。該合作中，由晉華支付技術(shù)報(bào)酬金，開發(fā)出的DRAM技術(shù)成果將由雙方共同擁有。2016年7月，福建晉華第一座12吋晶圓廠舉行動(dòng)土儀式。
2017年2月，美光控告聯(lián)電違反營(yíng)業(yè)秘密法，稱由美光跳槽到聯(lián)電的員工竊取了美光的秘密資料。2017年12月，美光在美國(guó)加州對(duì)聯(lián)電及晉華提出民事訴訟，控告兩者侵害美光的DRAM專利。美光稱聯(lián)電通過美光臺(tái)灣地區(qū)員工竊取其知識(shí)產(chǎn)權(quán)，包括DRAM的關(guān)鍵技術(shù)，并交付福建晉華。
2018年1月，福建晉華和聯(lián)電向福州市中級(jí)人民法院遞交訴狀，起訴美光公司相關(guān)產(chǎn)品侵權(quán)，包括美光數(shù)款固態(tài)硬盤產(chǎn)品存在侵權(quán)行為，并要求美光賠償1.96億元人民幣。2018年10月29日，美國(guó)商務(wù)部以威脅美國(guó)國(guó)家安全為由將福建晉華加入到《出口管理?xiàng)l例》的實(shí)體名單中，美國(guó)公司禁止向其出售軟件、技術(shù)和產(chǎn)品。次日，美國(guó)芯片設(shè)備廠商駐福建晉華人員全部撤出，所有設(shè)備裝機(jī)、工藝調(diào)試全部終止，已下單未出貨的芯片裝備全部暫停出貨。福建晉華廠房被迫暫時(shí)停工。2018年11月，美國(guó)司法部起訴福建晉華、中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)電，以及陳正坤等3名臺(tái)灣人，指控共謀盜竊美光商業(yè)機(jī)密。福建晉華對(duì)此發(fā)布聲明稱：晉華集成始終重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作，不存在竊取其他公司技術(shù)的行為。
2021年11月26日，聯(lián)電與美光共同發(fā)布公告稱，聯(lián)華電子與美光科技今日宣布達(dá)成全球和解協(xié)議，將各自撤回向?qū)Ψ教岢龅脑V訟，聯(lián)電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方在聲明中均稱，期待未來達(dá)成共同的商業(yè)合作機(jī)會(huì)。
2023年12月24日,美光科技發(fā)言人表示,美光已與福建省晉華集成電路有限公司達(dá)成全球和解協(xié)議,兩家公司將在全球范圍內(nèi)各自撤銷對(duì)對(duì)方的起訴,結(jié)束雙方之間的所有訴訟。然而美國(guó)最終還是把福建晉華放在了“實(shí)體清單”名單中。
?02反抗
哪里有壓迫，哪里就有反抗，橫行霸道久了，與難免“濕鞋”。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光專利侵權(quán)
中國(guó)芯片龍頭企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司，涉嫌侵犯其8項(xiàng)美國(guó)專利。涉案專利涉及3DNAND存儲(chǔ)器件、非易失性存儲(chǔ)裝置、直通陣列接觸(TAC)等技術(shù)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵權(quán)起訴書中稱，美光未經(jīng)授權(quán)使用了其專利技術(shù)，構(gòu)成了侵權(quán)行為。請(qǐng)求法院對(duì)美光下達(dá)產(chǎn)品永久禁令或向其支付專利授權(quán)費(fèi)。
對(duì)于雙方的訴訟官司，長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光方面均作出了回應(yīng)。盡管無法透露具體細(xì)節(jié)，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，他們致力于保護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并相信這起官司會(huì)很快得到解決。而美光則對(duì)此不予評(píng)論。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中提到，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，以抵御來自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
對(duì)此，有專家認(rèn)為，按照目前的信息來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)幾乎可以贏得這場(chǎng)官司。這充分展示了中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)的巨大進(jìn)步，也讓我們看到了中國(guó)企業(yè)在面對(duì)不公平待遇時(shí)的勇敢反擊。
美光被判向Netlist賠償4.45億美元
5月，美國(guó)德克薩斯州東區(qū)地方法院陪審團(tuán)裁定，美光侵犯了Netlist的兩項(xiàng)涉及內(nèi)存模塊技術(shù)的專利，需要賠償4.45億美元。根據(jù)法院提交的判決書顯示，美光因侵犯7,619,912專利需要賠償4.25 億美元，并因侵犯11,093,417專利需賠償 2000 萬美元。在文件中，陪審團(tuán)還表示，他們相信美光公司是故意侵權(quán)，這可能使 Netlist 有權(quán)要求將賠償總額增加至多三倍。盡管美光公司的一位發(fā)言人表示美光公司不同意陪審團(tuán)的裁決，但事實(shí)勝于雄辯。
韓企也不忍了
6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報(bào)道，韓國(guó)專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲(chǔ)巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（約 34.92 億元人民幣）。Mimir IP 此前于 5 月從 SK 海力士手中收購(gòu)了 1500 項(xiàng)半導(dǎo)體專利，本次訴訟涉及電路、電壓測(cè)量設(shè)備和非易失性存儲(chǔ)設(shè)備有關(guān)的 6 項(xiàng)專利。
?03四面楚歌：HBM落子太晚
如果說幾次訴訟對(duì)美光的沖擊是蜻蜓點(diǎn)水，那技術(shù)上的落后是美光面臨的真正威脅。隨著人工智能和高性能計(jì)算的飛速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器的性能要求越來越高。在這樣的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為推動(dòng)LLM行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵力量。
目前，HBM市場(chǎng)以約65%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2026年可達(dá)到170億至180億美元。在HBM技術(shù)領(lǐng)域，海力士、三星和美光三家公司以其卓越的研發(fā)能力和創(chuàng)新精神，成為了這一領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。
SK海力士是HBM先驅(qū)、技術(shù)最強(qiáng)，最早與 AMD 合作開發(fā)，三星緊隨其后。三星和海力士壟斷9成HBM市場(chǎng)，美光份額落后。美光在 HBM 領(lǐng)域的發(fā)展并非一帆風(fēng)順。由于多種因素的影響，美光傳統(tǒng)上在 HBM 領(lǐng)域處于弱勢(shì)地位。美光在前期因?yàn)榧夹g(shù)誤判在 HMC 技術(shù)上投入過多資金，直到 2018 年才從 HMC 轉(zhuǎn)向 HBM方向。
因此，不想錯(cuò)過末班車的美光跳過了 HBM2，直接于 2020 年進(jìn)行了 HBM2E 的量產(chǎn)，以后起之秀的身份進(jìn)入了市場(chǎng)，隨即加速邁過 HBM3 直接在 2023 年進(jìn)行了 HBM3E 的研發(fā)，并在 2024 年 2 月份宣布開始量產(chǎn) HBM3E，并應(yīng)用在 SK 海力士的長(zhǎng)期合作廠商 NVIDIA 的H200 芯片上，將在今年第二季度為 NVIDIA 供應(yīng) HBM3E 8Hi 24GB 的芯片，而 HBM3E 12Hi 36GB則已經(jīng)在樣本階段了，這兩種型號(hào)的帶寬將超過 1.2TB/s。
今年5月底，還傳出了美光的DRAM廠延期的消息。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，美光于 2023 年宣布將投資高達(dá) 5000 億日元（32 億美元）將 EUV 設(shè)備引入廣島。最初的目標(biāo)是在 2025 年底前在那里開始量產(chǎn)最先進(jìn)的 DRAM。
最新消息表示，該工廠的建設(shè)可能會(huì)推遲兩年。工廠竣工后，將生產(chǎn)下一代計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)1-gamma DRAM 。它還將生產(chǎn)用于生成式 AI 的高帶寬內(nèi)存 (HBM)。SK 海力士已宣布研發(fā) HBM4，并與臺(tái)積電就 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄，計(jì)劃從 2026 年開始批量生產(chǎn) HBM 第六代產(chǎn)品——HBM4。
SK 海力士有望采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝來提高 HBM4 的性能，針對(duì)搭載于 HBM 封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片進(jìn)行優(yōu)化。臺(tái)積電此前也表示，將采用 N5 和 N12FFC+工藝制造基礎(chǔ)裸片，為 HBM4 提供更強(qiáng)的性能和能源效率。
美光又慢一步。美光迅速成為韓廠威脅的重要原因之一是其能效優(yōu)勢(shì)。美光宣稱其堆疊的 24GB HBM3E 內(nèi)存功耗比競(jìng)品低 30%。在 AI 需求爆發(fā)的當(dāng)下，低功耗技術(shù)逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。更節(jié)能的 HBM3E 內(nèi)存可降低系統(tǒng)發(fā)熱和用電量，減少散熱需求。
此外，美國(guó)渴望擴(kuò)大半導(dǎo)體自給自足率，在這一大背景下美光獲得了美國(guó)政府大量資金支持，得以新建大型存儲(chǔ)晶圓廠。美光的美國(guó)身份也使其更容易接觸英特爾和 AMD 這另外兩家 AI 芯片企業(yè)，拿下更多的 HBM 訂單。
在產(chǎn)能方面，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢今年 3 月的研報(bào)，美光在 2023 底的 HBM 產(chǎn)能僅有每月 3000 片 12 英寸晶圓，占到整體市場(chǎng)的 3.2%。到 2024 年底，美光有望實(shí)現(xiàn)每月 20000 片晶圓的 HBM 產(chǎn)能，市場(chǎng)占比也大幅提升至 11.4%。
在美光未來產(chǎn)品方面，其單堆棧容量可達(dá) 36GB 的 12Hi HBM3E 內(nèi)存已于 3 月初完成采樣，計(jì)劃 2025 年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。展望更遠(yuǎn)的 HBM4 世代，美光計(jì)劃在 2025 下半年實(shí)現(xiàn) HBM4 內(nèi)存的開發(fā)，HBM4E 的開發(fā)完成則落在 2028 年。美光Plan A失敗，PlanB能重回霸主嗎？時(shí)間會(huì)給我們答案。
