知識星球(星球名:芯片制造與封測技術(shù)社區(qū),星球號:63559049)里的學(xué)員問:聽說EUV的掩膜版是反射式的,但是我們常見的掩膜版都是透射式的,為什么會這樣?EUV掩膜版結(jié)構(gòu)麻煩介紹下。
為什么EUV的掩膜版是反射式的?
EUV光的波長為13.5納米,這種極短的波長在通過任何材料時都會被強烈吸收,導(dǎo)致沒有適合的透明材料能有效傳輸EUV光,這使得傳統(tǒng)的透射式掩膜在EUV光刻中不可行。
EUV掩模版的結(jié)構(gòu)
如上圖,EUV掩膜版采用多層膜結(jié)構(gòu),利用布拉格反射原理反射EUV光??梢詫崿F(xiàn)高達70%左右的反射率,提高了光刻精度和效率。Anti-reflective coating (ARC)(抗反射涂層):減少掩模版表面反射,增加光吸收效率。
Absorber(吸收層):光刻圖案的實際形成層,吸收未被反射的EUV光。一般吸收層材料為Ta,TaN,TaBN等。Ru capping(釕覆蓋層):保護多層膜結(jié)構(gòu),防止氧化和損壞。
Mo/Si multilayer mirror(鉬/硅多層反射鏡):在 LTEM 基板頂部沉積了 40 到 50 層交替的硅和鉬層,作為布拉格反射層,可最大程度地反射 13.5nm 波長的EUV。
Low thermal expansion material (LTEM)(低熱膨脹材料):掩?;宀牧?,熱穩(wěn)定性高,在溫度劇烈變化時尺寸變化極小。
Conductive backside coating(導(dǎo)電背面涂層):通常由氮化鉻組成,減少靜電積聚,便于靜電夾持。
歡迎加入我的半導(dǎo)體制造知識星球社區(qū),目前社區(qū)有1900人左右。在這里會針對學(xué)員問題答疑解惑,上千個半導(dǎo)體行業(yè)資料共享,內(nèi)容比文章豐富很多很多,適合快速提升半導(dǎo)體制造能力,介紹如下:《歡迎加入作者的芯片知識社區(qū)!》