晶圓制造CVD工藝面試知識(shí)點(diǎn)小結(jié)

無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識(shí)點(diǎn)如下，僅供參考：

1、基礎(chǔ)知識(shí)問題

①請(qǐng)解釋化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝的基本原理。

化學(xué)氣相沉積（CVD）是一種通過化學(xué)反應(yīng)將氣態(tài)前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為固態(tài)薄膜的工藝。在CVD工藝中，氣態(tài)前驅(qū)體通過氣流引入反應(yīng)室，并在加熱的基板表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固體材料沉積在基板上，同時(shí)副產(chǎn)物以氣態(tài)形式被排出。CVD工藝的關(guān)鍵在于控制反應(yīng)條件（如溫度、壓力、氣體流量等）以獲得高質(zhì)量的薄膜。

②CVD工藝與物理氣相沉積（PVD）相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

優(yōu)點(diǎn)：

CVD可以沉積復(fù)雜形狀的基板表面，具有更好的覆蓋性。

通過化學(xué)反應(yīng)形成的薄膜通常具有更高的致密性和純度。

CVD工藝適用于大面積沉積和高產(chǎn)量生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：

由于化學(xué)反應(yīng)需要較高的溫度，某些基材可能無法承受。

CVD工藝中的副產(chǎn)物可能具有腐蝕性或毒性，處理不當(dāng)可能影響安全性。

設(shè)備和工藝較為復(fù)雜，成本相對(duì)較高。

③什么是PECVD？與常規(guī)CVD相比，它的優(yōu)勢(shì)是什么？

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是一種利用等離子體來促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的CVD工藝。相比于常規(guī)CVD，PECVD的主要優(yōu)勢(shì)在于可以在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)沉積。這使得PECVD特別適用于對(duì)溫度敏感的基材，同時(shí)也能獲得特定的薄膜特性，如低應(yīng)力和高均勻性。

④請(qǐng)解釋等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）中等離子體的作用。

在PECVD中，等離子體通過電磁場的作用生成，從而激發(fā)氣態(tài)前驅(qū)體分子，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成固態(tài)薄膜沉積在基板上。等離子體的作用是提供能量，使化學(xué)反應(yīng)可以在較低的溫度下發(fā)生，同時(shí)等離子體還可以提高薄膜的沉積速率和均勻性。