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東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

09/25 14:03
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬,有助于這些新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應(yīng)用中的設(shè)備功耗。

東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線,并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設(shè)備功耗的效率。

應(yīng)用:

光伏逆變器

電動(dòng)汽車充電站

工業(yè)設(shè)備UPS的開(kāi)關(guān)電源

特性:

第3代1200 V SiC SBD

業(yè)界領(lǐng)先的[2]低正向電壓:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))

低總電容電荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)

低反向電流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

主要規(guī)格:

(除非另有說(shuō)明,Ta=25 °C)

注:

[1] 改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu):該結(jié)構(gòu)將混合式PiN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)(可在大電流下降低正向電壓)整合在JBS結(jié)構(gòu)(不僅可降低肖特基接口的電場(chǎng),而且還可減少電流泄漏)中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。

 

 

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