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    • 激光直寫光刻膠與電子束光刻膠的區(qū)別是什么?
    • DLC沉積是什么?DLC沉積的應(yīng)用領(lǐng)域?
    • AOI是什么?
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半導(dǎo)體制造與AOI檢測的一些問題解答

2024/11/15
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本周的周一,周二兩天,Tom分別拜訪了位于深圳市坪山區(qū)的深圳清華大學(xué)研究院超滑技術(shù)研究所與深圳格芯集成電路裝備有限公司,超滑所具有整條半導(dǎo)體制造的產(chǎn)線,格芯是專門做AOI設(shè)備的企業(yè),Tom和相關(guān)負(fù)責(zé)人針對相應(yīng)領(lǐng)域技術(shù)作了一番交流,這里面涉及到很多半導(dǎo)體機(jī)理的內(nèi)容,特整理出來,供大家參閱。

EBL與傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī),激光直寫曝光機(jī)的曝光方式上有什么差別?

EBL(電子束光刻)使用電子束進(jìn)行曝光,精度極高,可實(shí)現(xiàn)納米級圖形,但速度較慢。激光直寫曝光機(jī)使用激光直接在光刻膠上寫入圖形,分辨率介于EBL和紫外曝光之間.這兩種都是無掩膜的光刻方式。而紫外曝光機(jī)使用紫外光通過掩膜版進(jìn)行曝光,快速,是投影式的一種曝光方式。激光直寫與電子束直寫如何選擇?電子束直寫精度能夠達(dá)到600nm左右,而EBL的精度在5nm左右。因此低精度的無掩膜光刻選用激光直寫,高精度的無掩膜光刻選用EBL。

激光直寫光刻膠與電子束光刻膠的區(qū)別是什么?

激光直寫光刻膠一般為紫外或近紫外波段的膠,而電子束光刻膠一般為PMMA、HSQ等,本身不具有光敏性,靠電子束的作用,發(fā)生聚合或分解反應(yīng)。什么是接觸式光刻,與投影光刻有何不同?接觸式光刻中,掩膜版直接接觸到涂有光刻膠的晶圓表面,投影光刻使用投影光學(xué)系統(tǒng),掩膜與基片不接觸,圖形通過投影方式縮小并轉(zhuǎn)移到基片上。

DLC沉積是什么?DLC沉積的應(yīng)用領(lǐng)域?

DLC是Diamond-Like Carbon的縮寫,即類金剛石薄膜,DLC薄膜兼具金剛石的高硬度和碳材料的潤滑性,可以通過PVD或CVD的方法來制作,可以通過改變工藝條件來改變DLC薄膜的性質(zhì),使其更偏向于金剛石或碳膜。二氧化碳超臨界點(diǎn)干燥儀,有什么用途?原理是什么?二氧化碳超臨界點(diǎn)干燥儀,主要是用來干燥MEMS等容易因表面張力而塌陷的樣品。二氧化碳在31.1°C、72.8 atm(約7.39 MPa)的條件下達(dá)到超臨界狀態(tài),在此狀態(tài)下二氧化碳無表面張力,能夠?qū)⑽⒖字械乃M(jìn)行替換,之后將二氧化碳逐步降壓釋放,使其轉(zhuǎn)化為氣態(tài)并排出系統(tǒng),完成樣品干燥。

AOI是什么?

AOI 的全稱是 Automated Optical Inspection,即自動光學(xué)檢測。利用攝像頭捕捉樣品的圖像,與預(yù)設(shè)的圖形做對比,判斷是否存在缺陷。

AOI的應(yīng)用場景?

明場和暗場各有什么作用?AOI在封裝,半導(dǎo)體制造,PCB板中應(yīng)用很廣泛。明場光源直接照射到樣品表面,反射光進(jìn)入檢測相機(jī),適合較大缺陷,劃痕的檢測。暗場光源以傾斜的角度照射樣品表面,只有表面細(xì)小的缺陷會散射光進(jìn)入相機(jī),因此適合小顆粒,小缺陷的檢測。

AOI的2D檢測與3D檢測原理有什么不同?

相機(jī)數(shù)目不同,3D 檢測一般有一臺主相機(jī),再配以數(shù)臺副相機(jī),通過全方位地對樣品進(jìn)行拍照,整合成為3D圖形。而2D設(shè)備一般只有一臺相機(jī)。

AOI墨點(diǎn)標(biāo)記與激光標(biāo)記是如何實(shí)現(xiàn)的?

AOI檢測設(shè)備在識別出缺陷后,發(fā)送信號給微型噴頭,噴頭將少量墨水噴在缺陷位置,形成小點(diǎn)。而激光標(biāo)記則利用激光束在產(chǎn)品表面刻蝕出標(biāo)記。激光標(biāo)記適合小尺寸芯片,墨點(diǎn)標(biāo)記適合大尺寸的芯片。

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