EBR與WEE去邊膠的區(qū)別？

在上期的直播中，有觀眾問：EBR與WEE去邊膠的原理有什么不同？今天我們專門來解答一下。

什么是EBR與WEE？

EBR，全稱：Edge Bead Removal。

WEE，全稱：wafer edge exposure。在晶圓勻膠后，晶圓邊緣的光刻膠會比中間區(qū)域的更厚，在后續(xù)的工序中會脫落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工藝中晶圓邊緣光刻膠的方法。

EBR與WEE的工藝原理？

EBR,是在晶圓旋涂光刻膠之后立即去掉，專門的EBR噴嘴對晶圓邊緣噴射去膠溶劑，如PGMEA等，噴嘴一般以一定的傾斜角度向外噴灑溶劑。晶圓在旋轉(zhuǎn)的過程中，離心力會將溶解的光刻膠和溶劑一起甩出。WEE，是在勻膠，軟烘后，用光纖將光線引導(dǎo)到晶圓邊緣區(qū)域，光纖的輸出端經(jīng)過透鏡聚焦，將光線精準聚焦到晶圓的邊緣區(qū)域。晶圓是旋轉(zhuǎn)的，那么整個晶圓邊緣都能被均勻地照射到。在后面顯影的工序中可以除去。

EBR與WEE各自優(yōu)缺點？

WEE的去邊膠的精度高，但是WEE對抗反射層沒有作用，因為抗反射層無法感光。??而EBR則可以將光刻膠與抗反射層都能除去，但是EBR的溶液容易飛濺，如果操作不當(dāng)，會飛濺到晶圓中間部位，造成工藝問題。

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