Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

TrenchFET? 器件采用PowerPAK? SO-8S封裝，RthJC低至0.45 °C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而連續(xù)漏極電流增加了179 %。

日前發(fā)布的器件具有業(yè)內(nèi)先進的導通電阻（10 V 時為 5.6 mW）以及導通電阻和柵極電荷乘積FOM（336 mW*nC），可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此，設(shè)計人員能夠提高效率，滿足下一代電源的要求，例如6 kW AI服務(wù)器電源系統(tǒng)。此外，PowerPAK SO-8S封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實現(xiàn)高達144 A的持續(xù)漏極電流，從而提高功率密度，同時提供強大的SOA能力。

SiRS5700DP非常適合同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換、熱插拔開關(guān)和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計算、超級計算機和數(shù)據(jù)存儲；通信電源；太陽能逆變器；電機驅(qū)動和電動工具；以及電池管理系統(tǒng)。MOSFET符合RoHS標準且無鹵素，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試，符合IPC-9701標準，可實現(xiàn)更加可靠的溫度循環(huán)。器件的標準尺寸為6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封裝。

SiRS5700DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。關(guān)于訂貨周期信息，請聯(lián)系您當?shù)氐匿N售辦事處。