隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展,強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率,降低導通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能。
強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,為各類電力電子應用提供更為可靠的解決方案。這些MOSFETs皆通過AEC-Q101之認證,具備優(yōu)異的導通和切換特性,在車用領(lǐng)域中是電源轉(zhuǎn)換、驅(qū)動與控制應用的理想選擇。此外,可承受結(jié)溫高達175°C,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供最佳的設(shè)計彈性。
最重要的是強茂在SGT-MOSFETs的產(chǎn)品研發(fā)上,不僅推動電動/燃油汽車技術(shù)的發(fā)展,還致力于促進整個汽車產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)成長與發(fā)展,服務廣泛涵蓋各終端之應用。此外,強茂的產(chǎn)品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標準的綠色材質(zhì),體現(xiàn)了強茂致力于為客戶提供高性能、可靠和環(huán)保產(chǎn)品的承諾。
什么是屏蔽柵槽溝SGT-MOSFET呢?
屏蔽柵槽溝MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT)
多使用于中壓MOSFETs,被廣泛應用于電源供應、工業(yè)系統(tǒng)以及汽車設(shè)備等高性能的應用領(lǐng)域中,作為核心的電力控制元件。通過加深槽溝深度,其獨特的電荷耦合結(jié)構(gòu)可涵蓋水平與垂直的耗盡區(qū)域,從而在相同的摻雜濃度下提升擊穿電壓的卓越性能。 相較于傳統(tǒng)槽溝式MOSFETs的特性,SGT-MOSFETs在柵極電極下增加了一個屏蔽電極并與源極相連,使屏蔽柵極在漂移區(qū)內(nèi)減少米勒效應帶來的切換損耗。此外,此設(shè)計還降低了漂移區(qū)的臨界電場,使總柵極電荷(Qg, @RDS(on) 3 mΩ)降低了57%,并顯著提升了性能指標(FOM)。
主要特性
- 屏蔽柵槽溝技術(shù) (SGT)
提升效率和性能,滿足嚴苛的電力需求。
- AEC-Q101認證
確保在嚴格的汽車和工業(yè)應用中具備卓越的耐用性。
- 超低導通電阻
將功率損耗降至最低,最大化功率敏感設(shè)計的能源效率。
- 高功率密度封裝
緊湊的設(shè)計提供強大的功率輸出,是多種應用的首選。
- 可承受高結(jié)溫
支持在極端環(huán)境中穩(wěn)定運行,能承受高達175℃的溫度。
產(chǎn)品應用
- 汽車電子
先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)
車身控制器 (BCU)
冷卻風扇
影音娛樂 / 儀表板
- 電源供應
發(fā)動機控制器
執(zhí)行器/促動器
馬達泵
USB充電器 / USB集線器
工業(yè)電腦
太陽能逆變器 / 控制器
電風扇
焊接機
60 V N通道第一代SGT系列表
產(chǎn)品推薦
PJQ5560A-AU
這款60 V N通道的增強型MOSFET具備優(yōu)異的FOM (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低導通電阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ),采用DFN5060-8L封裝。該產(chǎn)品符合AEC-Q101認證,并設(shè)計為邏輯電平驅(qū)動,非常適合用于汽車應用中的先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、車身及舒適系統(tǒng),以及汽車信息娛樂系統(tǒng)。
Data Sheet / STEP File / SPICE Model