首先,由于周邊焊點(diǎn)(即I/O焊點(diǎn))的尺寸較小且更接近熱源,它們會(huì)比熱沉焊盤(pán)更早開(kāi)始熔化。這一過(guò)程可能會(huì)導(dǎo)致QFN封裝在局部上被輕微抬起,但隨著焊錫的繼續(xù)熔化,這種抬起現(xiàn)象會(huì)逐漸消失。
隨著溫度的進(jìn)一步升高,熱沉焊盤(pán)上的焊膏也開(kāi)始熔化。由于熱沉焊盤(pán)體積較大且熱容量高,其熔化過(guò)程相對(duì)較慢。在熔化過(guò)程中,焊錫開(kāi)始潤(rùn)濕QFN焊盤(pán)表面,并逐漸擴(kuò)展。這一步驟至關(guān)重要,因?yàn)樗鼪Q定了焊點(diǎn)能否與QFN焊盤(pán)形成緊密的電氣連接。為了促進(jìn)焊錫的潤(rùn)濕和擴(kuò)展,鋼網(wǎng)開(kāi)窗口通常會(huì)設(shè)計(jì)得比焊盤(pán)稍大,以確保焊膏能夠均勻涂覆在焊盤(pán)上。
在焊錫充分潤(rùn)濕QFN焊盤(pán)后,由于焊錫的拉力作用,QFN焊盤(pán)被逐漸拉下,與PCB上的焊盤(pán)形成緊密的電氣連接。這一過(guò)程標(biāo)志著焊點(diǎn)的正式形成。然而,這個(gè)過(guò)程的完成需要一定的時(shí)間,以確保焊錫能夠充分熔化、潤(rùn)濕并拉下QFN焊盤(pán)。
如果再流焊接的時(shí)間過(guò)短,可能會(huì)導(dǎo)致熱沉焊盤(pán)上的焊膏無(wú)法充分熔化并潤(rùn)濕QFN焊盤(pán)。在這種情況下,焊點(diǎn)可能會(huì)出現(xiàn)虛焊的風(fēng)險(xiǎn),即焊錫未能與QFN焊盤(pán)形成緊密的電氣連接。虛焊會(huì)嚴(yán)重影響器件與PCB之間的電氣性能,甚至導(dǎo)致整個(gè)電路失效。因此,在再流焊接過(guò)程中,需要嚴(yán)格控制焊接時(shí)間、溫度曲線以及焊膏的選擇等因素,以確保焊點(diǎn)的質(zhì)量。
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 圖源自:(SMT工藝不良與組裝可靠性書(shū)籍)
最后,在焊點(diǎn)形成后,隨著溫度的逐漸降低,焊錫開(kāi)始冷卻并固化。固化后的焊點(diǎn)形成了穩(wěn)定的電氣連接,確保了QFN封裝與PCB之間的可靠連接。此時(shí),需要對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行質(zhì)量檢查,包括外觀檢查、潤(rùn)濕性檢查、連接強(qiáng)度檢查等,以確保焊點(diǎn)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。
綜上所述,QFN封裝BTC器件的再流焊接過(guò)程中,焊點(diǎn)的形成是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程,需要嚴(yán)格控制各種因素以確保焊點(diǎn)的質(zhì)量和可靠性。