貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書

專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。

《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家暢談氮化鎵技術）一書探討了比硅效率更高、開關速度更快、功率密度更大的氮化鎵如何徹底改變電力電子行業(yè)。從汽車和工業(yè)應用，再到消費電子和可再生能源，GaN技術的優(yōu)勢對各行各業(yè)都有著深遠影響。這本新電子書提供了ADI、Bourns及其他公司的專家對GaN的見解，包括GaN的優(yōu)勢、設計人員首次使用GaN可能面臨的挑戰(zhàn)以及如何順利完成從硅到GaN的過渡。本電子書還重點介紹了ADI和Bourns的相關產(chǎn)品，包括GaN控制器和驅動器，以及功率電感器等。

ADI LTC7890/1同步降壓控制器是一款高性能的降壓型DC-DC開關穩(wěn)壓器控制器，通過高達100V的輸入電壓驅動N溝道同步GaN場效應晶體管 (FET) 功率級。與硅金屬氧化物半導體解決方案相比，這些器件簡化了應用設計，無需保護二極管和其他額外的外部組件。

LT8418是一款100V半橋GaN驅動器，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。LT8418提供分離式柵極驅動器來調(diào)整GaN FET的開啟和關閉壓擺率，因此能抑制振鈴并優(yōu)化EMI性能。

由于GaN技術的高開關頻率，需要用戶仔細選擇無源元件。Bourns提供針對GaN高頻優(yōu)化的先進磁性元器件，包括其PQ扁線功率電感器、CWP3230A片式電感器和 TLVR1105T TLVR電感器。這些器件具有低電感、高額定電流和低輻射的屏蔽結構。 Bourns HCTSM150102HL變壓器具有更強的隔離能力、15mm最小電氣間隙/爬電距離和7.64kV (2s) 耐壓，提升了隔離高壓危險的水平。該變壓器采用鐵氧體環(huán)形磁芯，具有高耦合系數(shù)和效率。