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導讀：此文是 2008 年由我所寫，至今重讀覺得還有價值。存儲器要做出來并不難，美、日、韓、中國臺灣地區(qū)都可以，中國也不可能例外。問題是在成本，有關成本的主要因素，一是折舊，通常占 40%-50%，是個大頭；另一個是工藝制程，如 90nm 與 70nm 制程在每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數(shù)量分別為 750-1050 個及 1350-1420 個，成本差距達 40％以上；再有如成品率，人家 90%，你才 80%，又差一步。加上存儲器的技術進步很快，不但在工藝制程方面，現(xiàn)在的 3D NAND，到 2018 年時可能已經(jīng)量產(chǎn) 64 層或更多層產(chǎn)品，這一切都影響到存儲器的制造成本。
可以想到全球存儲器業(yè)的壟斷者三星、海力士、美光、東芝等的最后一招，一定是采用價格戰(zhàn)來壓制中國的崛起。
中國臺灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及 IC 設計第二（僅次于美國）的驕人成績，并沒有沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標，這一點非常難能可貴。例如在中國臺灣島內(nèi)自 2004 年開始，就半導體及平板顯示業(yè)展開大討論，以南韓為目標尋找差距，口號是“為什么韓國能，中國臺灣不能？”
通過分析與比較，中國臺灣在半導體產(chǎn)業(yè)中的目標是：1) 總產(chǎn)值要超過韓國，成為繼美國，日本之后的全球第三位；2) 在未來三至五年中，存儲器業(yè)要超過韓國，成為全球第一。
為什么選擇存儲器作為突破口？
這是一個值得思考的好問題?；仡?80 年代日本追趕美國，以及 90 年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易于擴大市場份額。
韓國就是在 6 英寸晶圓廠過渡到 8 英寸晶圓廠的世代交替時，以 9 座 8 英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商躍居全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)的第一。
中國臺灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在 8 英寸過渡到 12 英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的 12 英寸晶圓廠來取勝。結(jié)果中國臺灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位。
中國臺灣在存儲器方面重投資策略未能奏效
半導體業(yè)內(nèi)有個潛規(guī)則，只要舍得投資就有可能成功。例如中國臺灣地區(qū)半導體業(yè)在 90 年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達 60％以上。
根據(jù)此理念，中國臺灣地區(qū)從 2004 年開始加速存儲器方面的投資。例如從 2004 至 2008 年期間，中國臺灣地區(qū)在存儲器方面的總投資達 300 億美元以上，擁有近 20 條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因 12 英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，日前中國臺灣地區(qū)已宣布放棄存儲器追趕策略，而轉(zhuǎn)向固守陣地。中國臺灣 DRAM 和三星投資比較，如下圖所示。
中國臺灣 DRAM 與三星在投資方面的比較
原因初探
中國臺灣地區(qū)在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為中國臺灣地區(qū)在半導體策略上的一次重大失誤。據(jù)筆者觀察有以下三個主要原因：
首先，中國臺灣地區(qū)在發(fā)展存儲器業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在 DRAM 中以失敗告終。
眾所周知，在 DRAM 產(chǎn)業(yè)中有兩個趨勢已成為共識。一個是工藝制程轉(zhuǎn)變快，緊跟摩爾定律。由于存儲器的產(chǎn)品設計上相對簡單，無多大差異。例如在 12 英寸晶圓中，同為 512Mb DDR2 產(chǎn)品，在相同工藝制程下，假設成品率均為 85％時，90nm 制程每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數(shù)量為 750 至 1050 個，70nm 制程則是 1350 至 1420 個，成本差距達 40％以上。所以目前全球 DRAM 業(yè)紛紛從 70nm 制程加快轉(zhuǎn)進 6x-5xnm 制程。
另一個是月產(chǎn)能達 15 萬片的超級大廠盛行，投資高達 50-80 億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行 3 個 5 萬片晶圓廠的成本肯定高過一個 15 萬片晶圓廠。按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小，無法與 IDM 廠競爭。當產(chǎn)能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產(chǎn)能，同時那些 IDM 廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。另外，從根本上那些 IDM 廠也不可能把最先進制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此，代工模式在 DRAM 業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國際于 2007 年退出存儲器代工可能也是基于此理。
再有一個原因，中國臺灣地區(qū)存儲器業(yè)中缺乏自己應有的技術，過多的依賴于技術轉(zhuǎn)移。例如力晶與爾必達，茂德與海力士及華亞科與奇夢達（現(xiàn)在的美光），這三對都是前者依賴于后者的技術，因而臺系廠缺乏自已應有的技術，等于沒有脊梁。這也是中國臺灣地區(qū)存儲器追趕韓國失敗的主要原因。
最后一個原因是全球存儲器的市場未能達到預期。而目前幾乎 2/3 的新建或擴充產(chǎn)能集中在存儲器業(yè)中。從市場分析，推動全球存儲器業(yè)再次躍起有如下幾個潛在因素：Vista 操作系統(tǒng)的普及，全球服務器和數(shù)據(jù)處理中心中存儲器的更替，以及筆記本和移動多媒體中 SSD 的推廣。因種種原因市場并未如預期那么大，而前幾年的投資開始發(fā)酵，造成供過于求的局面，最終導致 DRAM 和 NAND 閃存價格的持續(xù)下跌完全超出市場預期。
中國臺灣地區(qū)存儲器業(yè)經(jīng)過近 5 年努力，花費 300 億美元以上的投資，結(jié)果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明“金錢不是萬能的”，挑戰(zhàn)了半導體業(yè)的潛規(guī)則。
結(jié)語
任何策略不可能簡單地復制，任何成功都是由多個因素共同促成的。中國臺灣地區(qū)在半導體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現(xiàn)。
