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隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的 28 納米先進(jìn)制程計劃在今年第二季正式量產(chǎn)，TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，中國大陸本土晶圓代工廠今年將沖刺在 28 納米先進(jìn)制程的布局，進(jìn)度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子，然而，隨著外資紛紛于中國大陸設(shè)立晶圓廠，本土晶圓代工廠面臨技術(shù)、人才、市場上的直接競爭壓力。
根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究指出，外資赴陸設(shè)廠加劇競爭，中國大陸晶圓代工廠今年全力沖刺 28 納米制程。
拓墣指出，中國大陸本土純晶圓代工廠商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程為 28 納米，根據(jù)統(tǒng)計，中芯國際 28 納米晶圓產(chǎn)品 2016 年的年晶圓產(chǎn)能全球占比不足 1%，與 28 納米制程市占率分別為 66.7%、16.1%與 8.4%的前三大純晶圓代工廠商臺積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。
不過，根據(jù)中芯國際季報顯示，2016 年第四季 28 納米營收占比達(dá)到 3.5%。 中芯國際首席執(zhí)行官邱慈云在 2 月 15 日的法說會上表示，28 納米以下制程會是 2017 年中芯的成長動能之一，預(yù)期 2017 年底 28 納米以下制程將占公司營收比重達(dá)到 7%~9%。 甫公布的中芯國際 2016 年業(yè)績報告中，也展望 2017 年底 28 納米季度營收占比接近 10%。
觀察華力微電子的制程布局進(jìn)度，雖然華力微電子宣布與聯(lián)發(fā)科合作的 28 納米行動通訊芯片已順利流片，但距量產(chǎn)仍有一段距離。 華力微電子二期項目已于 2016 年底開工，計劃 2018 年完工試產(chǎn)，預(yù)期將導(dǎo)入 28 納米生產(chǎn)線，后期逐漸過渡至 20 納米、14 納米，華力微電子二期項目也有導(dǎo)入 22 納米 FD-SOI 制程的考慮計劃。
拓墣指出，目前正值中國集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展時期，除了本土晶圓制造廠商大力擴(kuò)張發(fā)展外，受地方政府及地方資本的追捧，外資廠商也紛紛登陸，各廠商都寄望在中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵之際提前布局，占據(jù)有利市場地位。 根據(jù)外資廠商進(jìn)駐大陸的技術(shù)布局習(xí)慣，一般會授權(quán)（N-1）代的技術(shù)，然而，這些技術(shù)往往又會對同期中國本土廠商產(chǎn)品造成很大的沖擊。
外資晶圓廠制程領(lǐng)先，沖擊本土廠商
截至目前，在純晶圓代工領(lǐng)域，選在南京建廠的臺積電將于 2018 年下半年導(dǎo)入 16 納米 FinFET 制程，預(yù)計對中芯國際 2019 年初的 14 納米 FinFET 量產(chǎn)計劃產(chǎn)生較大影響；于成都落腳的格羅方德將于 2019 年底導(dǎo)入 22 納米 FD-SOI 制程，直接壓迫同期華力微電子 22 納米 FD-SOI 制程的布局計劃。
另一方面，去年底剛投產(chǎn)的廈門聯(lián)芯，初期導(dǎo)入 55/40 納米制程，近日在聯(lián)電成功實現(xiàn) 14 納米 FinFET 量產(chǎn)計劃的條件下，宣布正式授權(quán)廈門聯(lián)芯 28 納米技術(shù)，并計劃最快 2017 年第二季度導(dǎo)入量產(chǎn)，預(yù)估到年底在產(chǎn)能一萬六千片中，有一萬片是 28 納米。 在量產(chǎn)速度上，聯(lián)芯成為大陸領(lǐng)先。 雖然中芯國際的 28 納米制程已在這之前開始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來看，中芯更多偏向中低端的 28 納米 Ploy/SiON 技術(shù)，對于高階的 28 納米 HKMG 制程涉足并不深，而聯(lián)電的 28 納米在量產(chǎn)時間上領(lǐng)先中芯國際兩年，技術(shù)水平也相對更加全面和穩(wěn)定，預(yù)計未來會對中芯國際 28 納米的布局產(chǎn)生較大的影響。
外資廠商卡位，陸廠布局全面開戰(zhàn)
拓墣指出，未來隨著各外資廠商新廠的落成投產(chǎn)，等待大陸本土廠商的將是來自各外資廠商在技術(shù)、人才、市場等多方面資源的直接競爭，中國大陸晶圓代工廠先進(jìn)制程布局將全面開戰(zhàn)。
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