中微半導體設(shè)定十年目標，三維度打造競爭力

日前，中微半導體發(fā)布 2019 年財報，營收為 19.47 億元，較上年成長 18.77%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為 1.89 億元，較上年成長 107.51%。其中生產(chǎn) MOCVD 的南昌子公司營收 為 8.27 億元，凈利潤 1829 萬。

一、主力產(chǎn)品

中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（中微半導體）成立于 2004 年，是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設(shè)備公司，是我國集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。公司聚焦用于集成電路制造、先進封裝、LED 生產(chǎn)、MEMS 制造以及其他微觀工藝用刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

2019 年公司專用設(shè)備共生產(chǎn) 233 腔，2018 年是 231 腔，2017 年是 156 腔；2019 年公司專用設(shè)備銷售 221 腔，2018 年是 177 腔，2017 年是 90 腔。

刻蝕設(shè)備

財報顯示，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。

在邏輯工藝方面，公司刻蝕設(shè)備已運用在國際知名客戶 65 納米到 7 納米生產(chǎn)線上；已經(jīng)開發(fā)出 5 納米設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工；同時公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。

在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備技術(shù)可應(yīng)用于 64 層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器件客戶的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋 128 層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝；公司也根據(jù)邏輯器件客戶的需求，正在開發(fā)更先進刻蝕應(yīng)用的設(shè)備。

中微公司首先開發(fā)電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備，2007 年推出雙反應(yīng)臺 Primo D-RIE，應(yīng)用于 65-16 納米集成電路制造；2011 年推出雙反應(yīng)臺 Primo AD-RIE，應(yīng)用于 45-7 納米邏輯集成電路制造；2013 年推出單反應(yīng)臺 Primo SSC AD-RIE，應(yīng)用于 16 納米以下 2D 閃存芯片制造；2016 年推出 Primo SSC HD-RIE，應(yīng)用于 64 層及以上的 3D 閃存芯片制造；2017 年推出 Primo AD-RIE-e，應(yīng)用于 7 納米以下邏輯集成電路制造。目前已經(jīng)推出三代 CCP 刻蝕設(shè)備涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米到 5 納米關(guān)鍵尺寸的眾多刻蝕應(yīng)用。。

2010 年成功開發(fā)電感性等離子體深硅刻蝕設(shè)備 Primo TSV，采用雙腔設(shè)計，支持 12 英寸和 8 英寸無縫切換，同時兼容硅和氧化硅刻蝕，兼容硅和玻璃襯底，主要應(yīng)用于包括先進封裝、CMOS 圖像傳感器、MEMS、功率器件和等離子切割等；2016 年成功開發(fā)單反應(yīng)臺 Primo nanova 刻蝕設(shè)備，并同時開發(fā)雙反應(yīng)臺電感性等離子體刻蝕設(shè)備，主要涵蓋 14 納米及以下的邏輯電路、19 納米以下存儲器件和 3D 閃存芯片制造。Primo nanova 不僅能夠用于多種導體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕（STI）、多晶硅柵極刻蝕；還可用于介質(zhì)刻蝕，如間隙壁刻蝕（Spacer Etch）、掩?？涛g（Mask Etch）、回刻蝕（Etch Back）等，并且既可以用于刻蝕垂直深孔，也可以用于刻蝕淺錐形輪廓。Primo nanova 以獨特的四方形主機、可配置六個刻蝕反應(yīng)腔和兩個除膠反應(yīng)腔，獨特的技術(shù)創(chuàng)新使其具有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率和卓越的晶圓內(nèi)加工性能。

中微刻蝕設(shè)備的客戶主要有臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體等。

總結(jié)一下：CCP 刻蝕機，進入 5 納米生產(chǎn)線，進入 64 層 3D 存儲器生產(chǎn)線；深硅刻蝕機，已經(jīng)進入歐洲 MEMS 生產(chǎn)線，在國內(nèi)成為主流；ICP 刻蝕機，有單臺反應(yīng)系統(tǒng)，已經(jīng)進入國內(nèi)產(chǎn)生線，雙臺也在驗證。

薄膜沉積設(shè)備

MOCVD 設(shè)備是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍綠光 LED 和功率器件等生產(chǎn)加工。公司的 MOCVD 設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基 LED 設(shè)備制造商。

2010 年中微公司開始開發(fā)用于 LED 器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備 MOCVD 設(shè)備。2013 年推出的第一代設(shè)備 Prismo D-Blue 可以實現(xiàn)單腔 14 片 4 英寸外延片加工能力；2017 年推出第二代設(shè)備 Prismo A7 可以實現(xiàn)單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。

公司用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設(shè)備已在客戶端驗證成功，可以實現(xiàn)單腔 18 片 2 英寸外延片加工能力；用于藍綠光 LED 和 Mini LED 生產(chǎn)的大尺寸 MOCVD 設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進行中，可以實現(xiàn)單腔 41 片 4 英寸或單腔 18 片 6 英寸外延片加工能力；用于 Micro LED、功率器件等需要的 MOCVD 設(shè)備正在開發(fā)中。

中微薄膜沉積設(shè)備客戶主要包括三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電、深圳兆馳、佛山國星、福建兆元。

二、未來十年

展望未來十年，中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯表示，中微公司在今后十年將采取三個維度的發(fā)展策略：

第一個維度是從目前的等離子體刻蝕設(shè)備，擴展到化學薄膜設(shè)備，和刻蝕及薄膜有關(guān)的檢測等關(guān)鍵設(shè)備。事實上公司已經(jīng)開始布局，如持有沈陽拓荊（薄膜）11.2%的股權(quán)；2019 年 8 月擬向睿勵科學投資 1375 萬元，持股約 10.41%。

第二個維度是擴展在泛半導體設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品，從已經(jīng)開發(fā)的用于制造 MEMS 和 CIS 影像感測器的刻蝕設(shè)備、制造藍光 LED 的 MOCVD 設(shè)備，擴展到更多的微觀器件加工設(shè)備，及制造深紫外 LED、Mini-LED、Micro-LED 等微觀器件的設(shè)備產(chǎn)品。如投資芯元基半導體。

第三個維度是探索核心技術(shù)在環(huán)境保護、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、電子生物等領(lǐng)域，以及在國計民生上的新的應(yīng)用。

今后，中微計劃不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，不斷提高市場占有率；同時，公司將在適當時機，通過投資、并購等外延式生長途徑，擴大產(chǎn)品和市場覆蓋，力爭在未來十年內(nèi)，發(fā)展成為在規(guī)模上和市場占有率上成為國際一流的半導體設(shè)備公司。